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【素材】俄歇电子能谱分析
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俄歇电子能谱仪（AES）常用于样品表面微区成分分析、样品纵剖面成分及元素结合状态分析。在高能电子束与固体样品相互作用后，产生俄歇电子信息。俄歇电子的产生是由原子内壳层电子因电离激发留下一个空位，引起较外层电子向这一能级跃迁使原子释放能量，该能量使外层电子进一步电离，发射一个与原子序数相关的俄歇电子，检测俄歇电子的能量和强度可以获得表面层化学成分的定性和定量信息。俄歇电子能谱仪探测的深度仅1nm，只有距离表层试样以下0.1-1.0nm深度产生的俄歇电子仍然能保证其特征能量而不会造成能量损失，俄歇电子能谱仪只能反映试样表面组成的信息。 https://d.namipan.com/d/6dfb30cc ... c178d26f145002c0600 |
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