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【求助已成功】VASP赝势中考虑不同的外层电子
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如何在VASP赝势中考虑外层电子,看了文献中提到分别考虑Mo的 4d5,5s1 一种情况,和 4d5,5s1,4p6一种情况,请问在VASP中就这两种情况怎么具体操作?请指点一下,谢谢! [ Last edited by xiaowu787 on 2011-1-6 at 15:19 ] |
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