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xiaowu787

木虫 (正式写手)

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[交流] 【求助已成功】VASP赝势中考虑不同的外层电子

如何在VASP赝势中考虑外层电子，看了文献中提到分别考虑Mo的 4d5,5s1 一种情况，和 4d5,5s1,4p6一种情况，请问在VASP中就这两种情况怎么具体操作？请指点一下，谢谢！

CODE:

Our results for the Mo dimer as well as for the other Mo clusters were obtained considering the 4d5,5s1 electrons explicitly.We also made calculation for the Mo dimer by also including the 4p6 electrons explicitly.......

[ Last edited by xiaowu787 on 2011-1-6 at 15:19 ]

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1楼 2011-01-06 09:34:40

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

fzx2008

荣誉版主 (著名写手)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zhang668(金币+2):多谢交流 2011-01-06 10:40:19
xiaowu787(金币+3):谢谢了 2011-01-06 11:50:27

引用回帖:

Originally posted by xiaowu787 at 2011-01-06 09:34:40:
如何在VASP赝势中考虑外层电子，看了文献中提到分别考虑Mo的 4d5,5s1 一种情况，和 4d5,5s1,4p6一种情况，请问在VASP中就这两种情况怎么具体操作？请指点一下，谢谢！

[code]
Our results for the Mo dimer a ...

这个很简单，vasp中用赝势实现的。他是分别用Mo的两种赝势做的。
4d5s赝势对应的文件夹Mo ，6个电子
4p4d5s赝势对应的文件夹Mo_pv，11个电子（价电子把4p也包括进来了）