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snowmami

新虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】关于Squid测做在硅片上的ZnO：Ni薄膜磁性的三个问题

我的ZnO：Ni薄膜做在硅片上，现在拿到外地去做Squid的测量。但是刚测了一个样品就反应说数据不太好。
因为是第一次测，搞不清楚是不是参数选的不对，
现有以下三个问题请教：
      1.通过查文献我建议的参数是磁场强度1000 Oe下测变温的M-T曲线，和常温下测M-H曲线。不知道该磁场是否合适，做过类似测试的朋友们能否给个建议。
      2.硅片的影响是否很大，应该用oringe在作图时如何扣除衬底的影响呢？
      3.M的单位为emu,但是在作图时需要纵轴是emu/g，也就是要除以质量，可是我的样品是做在Si衬底上的薄膜，怎么测质量呢？希望高手们多多赐教！

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1楼 2010-12-27 19:24:56

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sciencemaji

至尊木虫 (文坛精英)

应助: 231 (大学生)
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snowmami(金币+5):谢谢你的回答，我天天查看，就你一个人回答了，答得还不错！ 2010-12-31 15:58:31

你的第一个问题：一般磁性不是太弱的样品的M-T曲线都取100Oe，较弱的样品可以取为1000Oe或者3000Oe，我不知道你样品中的NI含量是多少，磁性如何，但这种参数设置是我们最常用的。
第二个问题：单测硅片的磁性能数据，在origin中两列相减就行了；
第三个问题：如果你的样品是带着硅片测的磁性能，那么你换算emu/g时必须算上硅片的质量。所以根本就不用知道薄膜的质量！

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