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wanglianli136

铁杆木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】有空位的体系的电子结构中的vacancy state 已有4人参与

文章审稿意见中有一条就是,出现空位就会是的电子能带结构发生变化,从而产生vacancy state,问我为什么没有讨论!我知道DOS中的vacancy state,但是怎么才能确认他就是vacancy state呢?
请帮帮忙,谢谢
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zjuer

至尊木虫 (著名写手)

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bingmou(金币+1): 感谢参与 2011-07-31 17:34:40
bingmou(金币+1): 感谢参与 2011-07-31 17:34:56
引用回帖:
1楼: Originally posted by wanglianli136 at 2010-12-26 09:51:30:
文章审稿意见中有一条就是,出现空位就会是的电子能带结构发生变化,从而产生vacancy state,问我为什么没有讨论!我知道DOS中的vacancy state,但是怎么才能确认他就是vacancy state呢?
请帮帮忙,谢谢

可能在空间上vacancy state的波函数会局域在vacancy的周围,能带比较平坦。
2楼2011-07-31 10:43:06
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gaojunfeng83

银虫 (小有名气)

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bingmou(金币+1): 感谢参与 2011-07-31 17:34:51
引用回帖:
2楼: Originally posted by zjuer at 2011-07-31 10:43:06:
可能在空间上vacancy state的波函数会局域在vacancy的周围,能带比较平坦。

在半导体中,vacancy state 一般会在原来的禁带中,对应dos,就是gap中间出现了缺陷能级,单独这样讨论应该也可以,如果非要直接的在结构上显示,可以vasp计算 Band decomposed chargedensity 。应该可以看到产生这个空位能级的电荷都局域在空位附近
http://mukamel.ps.uci.edu/~zyli/science/VASP/manual/node150.html
3楼2011-07-31 10:55:18
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

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franch(金币+1): 谢谢回帖交流 2011-08-01 10:03:19
引用回帖:
3楼: Originally posted by gaojunfeng83 at 2011-07-31 10:55:18:
在半导体中,vacancy state 一般会在原来的禁带中,对应dos,就是gap中间出现了缺陷能级,单独这样讨论应该也可以,如果非要直接的在结构上显示,可以vasp计算 Band decomposed chargedensity 。应该可以看到产生 ...

同意gaojunfeng83 所说方法
4楼2011-08-01 09:09:17
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送鲜花一朵
5楼2011-08-01 09:17:40
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