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miraclebelie

金虫 (正式写手)


[交流] 【交流】对于一块表面高度掺杂的硅片,硅片厚度和掺杂深度已知,如何算表面电阻率

一块表面高度掺杂的硅片,硅片厚度和掺杂深度已知

在表面蒸上Au双电极,测得一条线性I-V,我从I-V斜率推出电阻,再根据resistivity=R*A/l,及其conductivity=1/resistivity,得出电导率,

问题是,在算A (area)时,是该只记掺杂层的截面积还是整个膜的截面积,我希望得出的是表面重掺层的conductivity,我是觉得本来表面重掺,导电性远远好于未掺杂的,导电基本就靠掺杂了的表面层,所以就用掺杂层的截面积,结果被小老板训了,说不能这么算,得用整个片子的截面。

请问哪种方法正确?如能给出类似这种情况的文献,将不胜感激

THX~
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miraclebelie

金虫 (正式写手)


不是整个膜被doped,只有表面很薄的一层,约10nm被重掺,这个表面掺杂层的导电性很好,接近于金属的导电性
2楼2010-12-18 03:40:45
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