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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓
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stractor

金虫 (著名写手)
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
sunyang1988(金币+3):谢谢交流 2010-12-18 12:16:13
引用回帖:
Originally posted by ustbmars at 2010-12-14 04:34:30:
对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教.

VASP在处理带电体系时，确实要加一个均匀分布的带电量相反的背景，以防止计算时能量发散。比如，计算负一价的缺陷, VASP会产生一个正一价的均匀分布的正电荷背景。这里的电中性只是为了计算方便考虑。
而前面提到的电中性条件是指一个具体的材料中，它有各种缺陷存在，各个缺陷的价态也多样。材料的局域角度是带电的，但整个材料还是电中性的。这里的电中性就要求正电荷缺陷、负电荷缺陷、导带电子和价带空穴浓度加起来为0，有前面的提到的公式可以确定费米能级。
这是我的理解。
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11楼2010-12-18 10:48:59
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bingmou

金虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
sunyang1988(金币+1):谢谢交流 2010-12-18 15:14:28
引用回帖:
Originally posted by ustbmars at 2010-12-18 00:53:48:
同意, 严格来说, 是通过电中性确定费米能级, 而不是费米能级调节电中性.

VASP保持supercell的电中性是为了消除monopole与monopole相互作用对能量的影响, 可以用来计算单个charged defects的形成能. 但实际系统 ...

VASP保持电中性最重要的目标是能量收敛，如果没有电荷背景，计算的时候能量就会发散
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12楼2010-12-18 15:11:16
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nfsex

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
尊敬的楼主：
    您好。关于楼主《VASP计算charged defect的形成焓》中计算Al+3或O-2离子空位的形成焓，我很想请教几个问题，请问楼主在计算O(-2)价态时，是否是在INCAR里面设置：NELECT=NELECT(未掺杂体系)+2 呢？
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nf
13楼2014-04-07 14:59:41
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