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ustbmars铜虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓 已有5人参与
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| 对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教. |
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stractor
金虫 (著名写手)
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
sunyang1988(金币+3):谢谢交流 2010-12-18 12:16:13
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
sunyang1988(金币+3):谢谢交流 2010-12-18 12:16:13
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VASP在处理带电体系时，确实要加一个均匀分布的带电量相反的背景，以防止计算时能量发散。比如，计算负一价的缺陷, VASP会产生一个正一价的均匀分布的正电荷背景。这里的电中性只是为了计算方便考虑。 而前面提到的电中性条件是指一个具体的材料中，它有各种缺陷存在，各个缺陷的价态也多样。材料的局域角度是带电的，但整个材料还是电中性的。这里的电中性就要求正电荷缺陷、负电荷缺陷、导带电子和价带空穴浓度加起来为0，有前面的提到的公式可以确定费米能级。 这是我的理解。 |
11楼2010-12-18 10:48:59
2楼2010-12-14 09:28:16
ustbmars
铜虫 (小有名气)
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3楼2010-12-15 01:12:57
4楼2010-12-15 15:13:22