应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

CyRhmU.jpeg
小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓
31/1返回列表
查看: 2918  |  回复: 12
查看全部回帖@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

ustbmars

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓已有5人参与

对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教.
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

带电掺杂体系形成能 vasp计算资料 first principle

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼2010-12-14 04:34:30
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
youzhizhe(金币+1):谢谢交流。 2010-12-16 23:18:17
电中性是自然满足的。只不过电中性可以定费米能级。
电中性就是p-n+sigma[qc(Xq)]=0
p为价带空穴浓度，n为导带电子浓度，c为X处于带来状态q的浓度,sigma对所有Xq求和。
各种缺陷的形成能都与费米能级有关
那么由形成能可以给出浓度进一步给出费米能级。从而给出那种缺陷更稳定。

[ Last edited by stractor on 2010-12-16 at 23:31 ]
赞一下(2人) 回复此楼
9楼2010-12-16 23:12:22
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

stractor

金虫 (著名写手)
★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
sunyang1988(金币+3):谢谢交流 2010-12-18 12:16:13
引用回帖:
Originally posted by ustbmars at 2010-12-14 04:34:30:
对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教.

VASP在处理带电体系时，确实要加一个均匀分布的带电量相反的背景，以防止计算时能量发散。比如，计算负一价的缺陷, VASP会产生一个正一价的均匀分布的正电荷背景。这里的电中性只是为了计算方便考虑。
而前面提到的电中性条件是指一个具体的材料中，它有各种缺陷存在，各个缺陷的价态也多样。材料的局域角度是带电的，但整个材料还是电中性的。这里的电中性就要求正电荷缺陷、负电荷缺陷、导带电子和价带空穴浓度加起来为0，有前面的提到的公式可以确定费米能级。
这是我的理解。
赞一下(2人) 回复此楼
11楼2010-12-18 10:48:59
 已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 ustbmars 的主题更新
31/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复(可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭