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【转帖】海力士等开发出54nm工艺的64Mbit自旋注入式MRAM，通过适用DRAM工艺等降低成本 已有1人参与
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海力士等开发出54nm工艺的64Mbit自旋注入式MRAM，通过适用DRAM工艺等降低成本 2010/12/13 00:00 打印 E-mail  开发出的64Mbit STT-RAM （点击放大） 韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）和美国Grandis共同开发出了基于54nm制造工艺的64Mbit STT-RAM（spin torque transfer-RAM）（演讲序号12.7）。STT-RAM的特点是“实际可无数次擦写和快速随机存取”（海力士）。 含STT-RAM在内的自旋注入式MRAM也具有这些优点，但是，在此前学会所发布的例子，其存储单元面积过大，超过40F2，成本竞争力低于DRAM等现有内存。海力士认为其原因主要有两点：第一点，现有很多自旋注入式MRAM的“存取晶体管是使用逻辑工艺制造的”（海力士）；第二点，内存单元采用了“off-axis”结构。“off-axis”结构是指，TMR元件没有被设置在下部电极触点的正上方，而是安装于下部电极触点的水平方向。 此次海力士对这两点进行了改进。首先，在存取晶体管的制造上使用了DRAM工艺。其次，存储单元采用“on-axis”结构，也就是说将TMR元件设置在下部电极触点的正上方。通过这些改进，使存储单元的面积缩小到了14F2。 此次开发出的54nm工艺64Mbit芯片的主要参数如下：实测读取访问时间（tACS）为25ns，性能可与DRAM相近。工作电压为1.8V。芯片尺寸为4.45×5.25mm2。内存单元由2个晶体管和1个TMR元件组成。TMR元件采用了面内磁化膜。（记者：大石 基之） ■日文原文 【IEDM】Hynix社などが54nm世代の64Mビット·スピン注入MRAMを開発，DRAMプロセス適用などで低コスト化 |
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