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【求助】请教硅电池中金属杂质问题 已有2人参与
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| 对硅太阳的电池而言，波长大于1100nm的光是不产生电子--空穴对的，但是当有金属杂质存在的时候，大于1100nm的光也能把禁带中杂质能级上的电子激发到导带而产生电子--空穴对，增加长波响应。那么杂质在硅电池中到底能不能利用起来呢，而不是成为复合中心。小弟迷惑，请教各位。 |
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SCU_magiclee
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫:)(金币+10):3q 2010-12-13 05:49:07
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小木虫:)(金币+10):3q 2010-12-13 05:49:07
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我觉得首先这是一个逻辑问题。 有金属杂质的硅1和没有金属杂质的硅2制造的电池，肯定后者比前者好（效率，使用寿命）。两者比较的时候，硅1的金属杂质肯定也对光电转换发挥了作用的，只不过和硅2中那些在硅1中被金属占据的位置的硅比较（这个有点绕！！），金属发挥的是副作用（以硅作为参考），但是如果换个参考系，如金属2，那硅1中的金属杂质的作用可能就是正作用了。这就好比一个人数学考90分，他去一个最高分只有85分的班，那他对平均分肯定有正贡献。但是他去一个都考100分的班，那他就是害群之马。 回到这个话题，金属在硅里面，你再怎么弄，也不可能比没有金属的时候强。金属在硅里面不一定就说它没被利用，可能它自己的一部分电子确实参与了观点转换，但是它就是一个收高利贷的，它给出去一个电子，可能它就要抢硅的几个光生电子。所以还是得把金属弄少。你说不让它成为复合中心，这就是要改变它的性质啊。你想啊，要把收高利贷的改造成良民（即不做复合中心），还是把它关起来或者坑杀了（钝化、吸杂）省事？我的比喻可能不太恰当哈。 也不知道我的理解是不是存在误区，来个高人指正一下啊 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-12-12 at 16:39 ] |
2楼2010-12-12 16:38:05
3楼2010-12-23 14:55:38
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