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yaodu

银虫 (小有名气)

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[交流] 【求助】请问castep中如何分析内建场强度

如题，现在想进行自发极化方面的研究，在GaN等密堆积的材料中，因为Ga层和N层所带电性不同，内部会形成自建场，怎么把这个自建场强度求出来呢？

查了一些GaN的资料，这方面的研究很少，有些关于Ga面、N面稳定性的文章，也是建模后直接进行稳定性分析，也就是说从这些文章来分析，内建场的影响已经在软件中处理了，但是都没有提到内建场强度的数值，请问应该怎么得到这个数值？

gaussian 中好像有关于静电势的选项，但是还没有用过，请问用gaussian来做这个适合吗？

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1楼 2010-12-09 23:59:44

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yaodu

银虫 (小有名气)

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最近看了一些文章，一般通过potential的变化得到。

由于通常计算时采用周期性边界条件，无法得到宏观内建场，一般通过加一个参考体系，如zb结构与w结构组成超晶胞，然后进行研究

4楼2011-04-19 17:00:53

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