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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】请问castep中如何分析内建场强度
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yaodu

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】请问castep中如何分析内建场强度

如题，现在想进行自发极化方面的研究，在GaN等密堆积的材料中，因为Ga层和N层所带电性不同，内部会形成自建场，怎么把这个自建场强度求出来呢？

查了一些GaN的资料，这方面的研究很少，有些关于Ga面、N面稳定性的文章，也是建模后直接进行稳定性分析，也就是说从这些文章来分析，内建场的影响已经在软件中处理了，但是都没有提到内建场强度的数值，请问应该怎么得到这个数值？

gaussian 中好像有关于静电势的选项，但是还没有用过，请问用gaussian来做这个适合吗？
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1楼 2010-12-09 23:59:44
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yaodu

银虫 (小有名气)
帮帮忙啊
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2楼2010-12-10 10:24:09
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yaodu

银虫 (小有名气)
youzhizhe:有时候问题太专业了，不太容易回答。请耐心等待，呵呵。 2010-12-17 00:45:35
没人理我
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3楼2010-12-16 23:54:29
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yaodu

银虫 (小有名气)
最近看了一些文章，一般通过potential的变化得到。

由于通常计算时采用周期性边界条件，无法得到宏观内建场，一般通过加一个参考体系，如zb结构与w结构组成超晶胞，然后进行研究
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4楼2011-04-19 17:00:53
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