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tiechong

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[交流] 【求助】tddft绝热近似

高斯里面的tddft算的事垂直激发（或者发射），应该不是绝热激发，那说tddft是绝热近似是咋回事呢？这两个绝热是一样的意思吗？

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1楼 2010-12-06 10:43:52

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gmy1990

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★
zhou2009(金币+1): 2010-12-06 13:46:38
tiechong(金币+2): 2010-12-06 23:33:05

引用回帖:

Originally posted by tiechong at 2010-12-06 10:43:52:
高斯里面的tddft算的事垂直激发（或者发射），应该不是绝热激发，那说tddft是绝热近似是咋回事呢？这两个绝热是一样的意思吗？

谱带的极大值是垂直电离能，而绝热电离能只能用谱带的起始点来估测，0-0谱带是电子状态间的间隔的理想度量，但是我们通常所测得的确是谱带极大值即垂直激发。

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2楼2010-12-06 11:24:34

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ykwang

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zhou2009(金币+2): 2010-12-06 13:46:26
tiechong(金币+6): 2010-12-06 23:33:16

TDDFT的绝热近似和TDDFT计算的垂直激发能不是一回事。垂直激发指的是激发过程中体系的几何构型保持不变(仍为基态的几何构型)。而绝热近似指的则是对时间依赖性的交换相关势在时域内的局域近似，即只考虑当前时刻电子密度的贡献，不考虑以前各个时段的影响！事实上，TDDFT中的交换相关势作为时间的泛函，其值不仅与当前时刻的电子密度有关，还与此前电子密度的"经历"有关。绝热近似就是忽略这种"历史"的影响，只考虑当前时刻的贡献。换句话说，就是假定过去的“热”没有传到“现在”，故称为绝热近似。

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3楼2010-12-06 12:35:33

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