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shaqiezi木虫 (正式写手)
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[求助]
关于binding energies 的问题
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| 请问 ”通过复合或者掺杂来改善催化活性，掺杂后元素XPS谱图中显示的binding energies 一定得要有变化吗？” 另外，请高手指点 band gap 与 binding energies 之间的联系。谢谢！ |
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【答案】应助回帖
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band gap 是禁带宽度，指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.43ev。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关 binding energy 是电子束缚能，表示原子核对电子吸引能力的大小，随原子所处化学环境变化而发生变化。如果半导体晶格由于掺杂元素的加入而发生畸变，其中心原子化学环境发生变化，电子束缚能是肯定要变得 二者没有直接的关系 |
2楼2010-12-03 16:20:19
whlgdxkx
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