| 查看: 357 | 回复: 3 | ||
shaqiezi木虫 (正式写手)
|
[求助]
关于binding energies 的问题
|
| 请问 ”通过复合或者掺杂来改善催化活性，掺杂后元素XPS谱图中显示的binding energies 一定得要有变化吗？” 另外，请高手指点 band gap 与 binding energies 之间的联系。谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
国自然申请面上模板最新2026版出了吗？
已经有10人回复
-
推荐一本书
已经有12人回复
-
基金申报
已经有4人回复
-
计算机、0854电子信息（085401-058412）调剂
已经有4人回复
-
溴的反应液脱色
已经有6人回复
-
纳米粒子粒径的测量
已经有7人回复
-
常年博士招收(双一流，工科)
已经有4人回复
-
参与限项
已经有5人回复
-
有没有人能给点建议
已经有5人回复
-
萌生出自己或许不适合搞科研的想法，现在跑or等等看？
已经有4人回复
mtzh
捐助贵宾 (著名写手)
- 博学EPI: 7
- 应助: 15 (小学生)
- 金币: 2710.3
- 散金: 1672
- 红花: 19
- 帖子: 2147
- 在线: 511.2小时
- 虫号: 336164
- 注册: 2007-04-01
- 性别: MM
- 专业: 污染控制化学
【答案】应助回帖
|
band gap 是禁带宽度，指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.43ev。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关 binding energy 是电子束缚能，表示原子核对电子吸引能力的大小，随原子所处化学环境变化而发生变化。如果半导体晶格由于掺杂元素的加入而发生畸变，其中心原子化学环境发生变化，电子束缚能是肯定要变得 二者没有直接的关系 |
2楼2010-12-03 16:20:19
whlgdxkx
金虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1199.9
- 散金: 29
- 帖子: 103
- 在线: 13.9小时
- 虫号: 622893
- 注册: 2008-10-11
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
3楼2010-12-03 20:32:47
4楼2010-12-06 09:51:39