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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【讨论】薄膜晶体管亚阈值摆幅过大是什么原因？
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新虫 (初入文坛)

[交流] 【讨论】薄膜晶体管亚阈值摆幅过大是什么原因？

用的SiNx的绝缘层，ZnO沟道层，怀疑是Si界面悬挂键多，缺陷态密度大引起的，准备沉积沟道层前用氧等离子体处理一下SiNx表面看看。
大家一般碰到这种情况怎么处理的

附图


[ Last edited by subject on 2010-11-9 at 16:22 ]
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1楼 2010-11-09 14:14:08
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
wandaohzl:鼓励交流 2010-11-27 08:54:03
subject(金币+2): 2011-01-15 15:38:20
subject(金币+1): 2011-01-15 15:38:25
不如试一试用氩等离子体轰击！
氧化锌是溅射的吧，在溅射前用氩等离子体轰击清洗样品表面看。
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2楼2010-11-27 00:35:19
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陈勇跃

金虫 (正式写手)
SiNx太厚
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3楼2013-05-07 18:42:58
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