| 查看: 556 | 回复: 0 | |||
jlu_w木虫 (正式写手)
|
[交流]
【求助】请教 半导体肖特基结耗尽层方面
|
|
小弟做了种材料 电子迁移率很低 1 E-5 m2/vs d电子浓度大约1 E+12 cm-3 照此计算,耗尽层宽度大约40多微米 请问可能么? |
» 猜你喜欢
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有9人回复
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层,如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有6人回复
今年春晚有几个节目很不错,点赞!
已经有10人回复
情人节自我反思:在爱情中有过遗憾吗?
已经有10人回复
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

找到一些相关的精华帖子,希望有用哦~
请教n型半导体TiO2的能级结构
已经有9人回复
怎么解释 Pt/TiO2催化制氢后,表面价态改变?
已经有11人回复
【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
【求助】请教半导体的费米能级问题
已经有13人回复
【请教】半导体材料测PL光致发光光谱
已经有15人回复
科研从小木虫开始,人人为我,我为人人













回复此楼

点击这里搜索更多相关资源