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knightshui木虫 (小有名气)
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【求助】多晶硅的反射谱或吸收谱，及其机理解释 已有4人参与
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soloroc
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4楼2010-11-05 21:53:28
soloroc
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SCU_magiclee
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夕阳西下:述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。为什么对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用？ 2010-11-07 11:32:05
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夕阳西下:述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。为什么对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用？ 2010-11-07 11:32:05
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首先，我觉得用机理解释这个词可能不大合适。这个东西是非常成熟的理论（半导体、凝聚态物理）和光谱技术（IR,PL）的结合，是已经有定论的东西了。一般说机理解释，好像大多用来说新的，还存在争议的现象等等。呵呵，只是感觉，楼主勿怪。 言归正传，说说我的一点认识： 1.入射光照射到多晶硅上，一部分光被反射，一部分光透过，还有一部分光被吸收，三者的和是光的总强度1.一般是短波的光（光子能量大于Eg）很容易被反射，能量小于Eg的光的一部分被多晶硅中的杂质和晶格吸收，剩下的一部分透过。 2.（单晶）硅中最重要的就是对电学性能有作用的浅杂质（P/B/AS.....），这些杂质占据了很少一部分硅的格点位置，和硅形成共价键。根据不同的杂质分为N和P型。以N型磷掺杂的样品为例，室温下，由于晶格热振动，束缚在磷原子上的电子通过晶格振动获得一定能量，得以脱离这个束缚，即电离。脱离束缚的电子就进入导带，参与导电。如果在极低温下（<15K），可忽略杂质电离，如果样品补偿也忽略，那么这时候得到的红外吸收光谱的光源提供的光的能量就用来激发这些未电离的原子态杂质，检测器得到的光强可以换算为透过率，进而转换为吸收光谱，光谱反应了杂质态束缚电子的激发和驰豫信息。吸收峰的位置（波数）可以拿来定性，而峰高（峰面积）则可以拿来定量。具体过程还要复杂，这里不太好说清楚，建议看看半导体物理书和红外光谱原理的书。一般测碳和氧就用常温红外光谱，而三五族杂质就需要低温光谱技术如LT-FTIR、LT-PL。 3.2所述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。当然，单晶多晶毕竟有差异，可能在峰位和峰形上会有些差别，但大体上是差不多的。 4.看楼主专业是太阳电池。在太阳电池领域，反射谱一般用于表征减反射层的减反射效果。即为了得到最佳的反射层，使反射竟可能低，这样吸收得就多，更多的光就被利用，从而提升光电转换效率。 写得有点乱，也比较通俗，如果哪里不严谨的话，还请高手帮忙指出，以免误导他人。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-7 at 10:54 ] |
5楼2010-11-07 10:34:35
