| 查看: 2279 | 回复: 9 | ||||
| 本帖产生 1 个 FPI ，点击这里进行查看 | ||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||
knightshui木虫 (小有名气)
|
[交流]
【求助】多晶硅的反射谱或吸收谱，及其机理解释 已有4人参与
|
|||
| 求助，如题。望知情者能提供信息。多谢多谢。 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 光伏文集 |
» 猜你喜欢
366求调剂
已经有9人回复
-
材料工程085601，270求调剂
已经有37人回复
-
279学硕食品专业求调剂院校
已经有18人回复
-
290调剂生物0860
已经有31人回复
-
一志愿085802 323分求调剂
已经有13人回复
-
277求调剂
已经有23人回复
-
322求调剂，08工科
已经有4人回复
-
材料工程281还有调剂机会吗
已经有30人回复
-
化学070300 求调剂
已经有16人回复
-
化工学硕294分，求导师收留
已经有12人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- PL光致发光吸收谱和UV-vis吸收谱的区别
已经有10人回复
- TD计算的紫外吸收光谱强度可信么？
已经有9人回复
- 能不能用VARIAN CARY 50 UV-vis 分光光度计测漫反射吸收光谱
已经有9人回复
- 求碳谱解释
已经有20人回复
- 【求助】单晶硅红外吸收光谱
已经有3人回复
- 【求助】紫外漫反射和紫外吸收有什么区别？
已经有9人回复
- 【求助】求助：哪里可以做瞬态吸收、反射、透射光谱？
已经有5人回复
- 【求助】castep中光学性能吸收反射谱的单位是什么？
已经有6人回复
- 【讨论】急切求紫外漫反射光谱的资料
已经有7人回复
- 【求助】弱问一下物质的红外吸收、反射光谱的振动峰频率一样吗
已经有3人回复
- 【交流】有关漫反射谱图测量的问题
已经有6人回复
- 【求助】薄膜的红外反射谱和透射谱
已经有7人回复
knightshui
木虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 4420.1
- 散金: 11
- 红花: 3
- 帖子: 251
- 在线: 109.9小时
- 虫号: 742235
- 注册: 2009-04-07
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
3楼2010-11-05 18:45:26
soloroc
木虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2891.8
- 红花: 2
- 帖子: 279
- 在线: 1224.7小时
- 虫号: 836298
- 注册: 2009-08-29
- 性别: GG
- 专业: 光学
2楼2010-11-05 15:33:30
soloroc
木虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 2891.8
- 红花: 2
- 帖子: 279
- 在线: 1224.7小时
- 虫号: 836298
- 注册: 2009-08-29
- 性别: GG
- 专业: 光学
4楼2010-11-05 21:53:28
SCU_magiclee
铁杆木虫 (正式写手)
硅材料研发人员
- 应助: 47 (小学生)
- 金币: 8155.3
- 散金: 137
- 红花: 22
- 帖子: 735
- 在线: 1321.6小时
- 虫号: 282344
- 注册: 2006-09-24
- 性别: GG
- 专业: 质谱分析
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
夕阳西下:述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。为什么对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用？ 2010-11-07 11:32:05
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
夕阳西下:述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。为什么对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用？ 2010-11-07 11:32:05
|
首先，我觉得用机理解释这个词可能不大合适。这个东西是非常成熟的理论（半导体、凝聚态物理）和光谱技术（IR,PL）的结合，是已经有定论的东西了。一般说机理解释，好像大多用来说新的，还存在争议的现象等等。呵呵，只是感觉，楼主勿怪。 言归正传，说说我的一点认识： 1.入射光照射到多晶硅上，一部分光被反射，一部分光透过，还有一部分光被吸收，三者的和是光的总强度1.一般是短波的光（光子能量大于Eg）很容易被反射，能量小于Eg的光的一部分被多晶硅中的杂质和晶格吸收，剩下的一部分透过。 2.（单晶）硅中最重要的就是对电学性能有作用的浅杂质（P/B/AS.....），这些杂质占据了很少一部分硅的格点位置，和硅形成共价键。根据不同的杂质分为N和P型。以N型磷掺杂的样品为例，室温下，由于晶格热振动，束缚在磷原子上的电子通过晶格振动获得一定能量，得以脱离这个束缚，即电离。脱离束缚的电子就进入导带，参与导电。如果在极低温下（<15K），可忽略杂质电离，如果样品补偿也忽略，那么这时候得到的红外吸收光谱的光源提供的光的能量就用来激发这些未电离的原子态杂质，检测器得到的光强可以换算为透过率，进而转换为吸收光谱，光谱反应了杂质态束缚电子的激发和驰豫信息。吸收峰的位置（波数）可以拿来定性，而峰高（峰面积）则可以拿来定量。具体过程还要复杂，这里不太好说清楚，建议看看半导体物理书和红外光谱原理的书。一般测碳和氧就用常温红外光谱，而三五族杂质就需要低温光谱技术如LT-FTIR、LT-PL。 3.2所述一般适用于单晶硅，但是多晶硅在某些情况下也使用。即晶粒尺寸足够大，晶界较少，对少数载流子的寿命影响很小的情况下适用。当然，单晶多晶毕竟有差异，可能在峰位和峰形上会有些差别，但大体上是差不多的。 4.看楼主专业是太阳电池。在太阳电池领域，反射谱一般用于表征减反射层的减反射效果。即为了得到最佳的反射层，使反射竟可能低，这样吸收得就多，更多的光就被利用，从而提升光电转换效率。 写得有点乱，也比较通俗，如果哪里不严谨的话，还请高手帮忙指出，以免误导他人。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-7 at 10:54 ] |
5楼2010-11-07 10:34:35
