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【求助】有关石墨烯的几个小问题，由于本人是初次看，有好多问题 已有1人参与
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我在看一篇题目为新型碳材料---石墨烯的研究进展 有几个问题 在石墨烯的制备中他有一种方法说 碳氢化合物（甲烷）气体在过渡金属（Ni）表面反应也可以生长石墨烯薄片。 Kim等用电子束蒸发的方法在二氧化硅/Si沉底上沉积了厚度小于300nm的Ni薄膜，在把样品放入石英管中，通入氩气保护气体，加热至1000°C，然后通入甲烷、氢气与氩气的混合反应气体，最后利用氩气使样品以~10°C/s的速率降到室温（1。这句话的意思是氩气有促进降温的作用吗？是由于它的密度大，会抑制分子热运动的原因吗？），发现，降温速率对于抑制更多层薄膜的形成以及对后续的石墨烯从衬底上分离起着关键作用。 2．有好多文献说热力学涨落不允许任何二维晶体在有限温度下存在？不知道这个理论在什么书里有说明，我想看看，可是不知道该到哪儿看？ 3．在10-100k范围内，迁移率几乎与温度无关，说明石墨烯中的主要散射机制是缺陷散射。为什么？ |
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quantumfang
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2楼2010-11-05 20:47:12
