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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请教侯博士已有5人参与

想设置电子温度Te=10000K,不知道如何设置,手册翻了好几遍也没找到如何解决,请高手指教
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

呵呵,谢谢楼上的提醒,我见有人用第一性原理做过电子激发对晶格缺陷形成焓的影响,就是用很高的电子温度。所以我想模拟一下试试。如PHYSICAL REVIEW B 75, 174114(2007).
另外顺便问一句vasp中可不可以作(N,P,T)系综,呵呵,谢谢
9楼2010-11-02 18:50:04
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

没找到,呵呵,还望赐教
3楼2010-11-01 20:12:41
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢侯老师指点 2010-11-02 08:04:18
fengshiquan(金币+4): 2010-11-02 09:10:38
不知道你这样做有什么意义?采用Fermi-Dirac分布,即对应ISMEAR=1(如果我没有记错的话,你查看manual确认一下)。然后将你要设置的Te=10000K转换为eV的单位,然后设置SIGMA的值。个人认为,你说的Te太大了,没有任何物理意义。
4楼2010-11-01 22:37:57
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

呵呵,谢谢侯老师指点,想模拟激光照射靶材后靶材中电子和晶格的情况,此时电子温度很高,而晶格温度很低,因此需要把电子温度单独设置,不知道这样做行不行,还请侯老师指正
5楼2010-11-02 09:10:24
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