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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】请教侯博士
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请教侯博士 已有5人参与

想设置电子温度Te=10000K，不知道如何设置，手册翻了好几遍也没找到如何解决，请高手指教
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1楼 2010-10-30 14:11:21
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
bingmou(金币+1):感谢交流 2010-11-06 20:39:02
10000K略等于0.86174 eV。我主要是强调，设置如此大的展宽系数，得到的结果可能没有任何意义。设置参数之前，了解清楚基本的原理，知道哪些可以做，哪些不可以做。

有关有限温度DFT中设置很高温度的展宽系数的讨论，可参考pwscf上的讨论：
http://www.democritos.it/piperma ... 9-March/012077.html

以及这篇文献：
http://dx.doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.006

[ Last edited by valenhou001 on 2010-11-6 at 20:11 ]
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10楼2010-11-06 20:09:52
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普通回帖

1003307944

银虫 (小有名气)
★
fengshiquan(金币+1): 2010-11-01 20:12:03
zzy870720z(金币+1):谢谢回复 2010-11-02 08:04:02
教程有吧
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2楼2010-10-31 20:54:01
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)
没找到，呵呵，还望赐教
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3楼2010-11-01 20:12:41
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢侯老师指点 2010-11-02 08:04:18
fengshiquan(金币+4): 2010-11-02 09:10:38
不知道你这样做有什么意义？采用Fermi-Dirac分布，即对应ISMEAR=1（如果我没有记错的话，你查看manual确认一下)。然后将你要设置的Te=10000K转换为eV的单位，然后设置SIGMA的值。个人认为，你说的Te太大了，没有任何物理意义。
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4楼2010-11-01 22:37:57
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)
呵呵，谢谢侯老师指点，想模拟激光照射靶材后靶材中电子和晶格的情况，此时电子温度很高，而晶格温度很低，因此需要把电子温度单独设置，不知道这样做行不行，还请侯老师指正
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5楼2010-11-02 09:10:24
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1003307944

银虫 (小有名气)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+1):谢谢指点 2010-11-02 11:08:29
TEBEG,TEBEND分别为初，末温度，你再在手册里里细看吧
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6楼2010-11-02 09:16:21
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)
呵呵，好的，谢谢
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7楼2010-11-02 09:41:48
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goldenfisher

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+2):谢谢指点 2010-11-02 11:08:43
引用回帖:
Originally posted by fengshiquan at 2010-11-02 09:10:24:
呵呵，谢谢侯老师指点，想模拟激光照射靶材后靶材中电子和晶格的情况，此时电子温度很高，而晶格温度很低，因此需要把电子温度单独设置，不知道这样做行不行，还请侯老师指正

你考虑的情况应该是一种非平衡的情况。在现在的大多数分子的第一原理计算中，这种非平衡的情况是计算不了的。你直接用不同的电子温度和离子温度得到的结果也应该是不对的，因为此时你如果想用非分子动力学方法的话，电子的温度展宽将破坏非常多的物理性质。

另外，侯老师，我想并不是说温度这么高就没有意义，温度高的时候电子展宽占据主导地位，此时的电子温度效应就用Fermi-Dirac来考虑。这样做也就是含温密度泛函的思想。
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8楼2010-11-02 10:53:47
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fengshiquan

铁杆木虫 (正式写手)
呵呵，谢谢楼上的提醒，我见有人用第一性原理做过电子激发对晶格缺陷形成焓的影响，就是用很高的电子温度。所以我想模拟一下试试。如PHYSICAL REVIEW B 75, 174114（2007).
另外顺便问一句vasp中可不可以作（N,P,T)系综，呵呵，谢谢
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9楼2010-11-02 18:50:04
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