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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

[交流] 【求助】DOS和band带隙不一致,是什么问题已有7人参与

没用smearing计算出的DOS和Band带隙相差0.1ev,请问是不是我的计算出错了,带隙在多少量级的eV范围内是可以接受的,麻烦大家指点下,谢谢大家
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
calos818(金币+1):谢谢参与
calos818(金币+3):谢谢侯老师嘿嘿 2010-10-25 20:30:45
bingmou(金币+1):感谢交流 2010-10-25 21:53:50
这种问题,你的态密度计算时,broadening参数过大,还有k点不够多,导致Fermi energy位置与能带结构中态密度的位置对不起来。建议采用ISMEAR=-5,足够密的k点网格重新计算态密度。如果不计算的话,那直接做个shift,将Fermi level移到态密度曲线(占据部分的边缘处(即你图的~0.5 eV)。
21楼2010-10-25 20:06:42
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ylli

木虫 (小有名气)

带隙


calos818(金币+3): 2010-10-23 20:33:53
calos818(金币+3):xiexie li lao shi ^_^ 2010-10-23 20:36:05
zzy870720z(金币+1):谢谢指教 2010-10-24 09:58:43
确切的band gap 由energy band确定,而不是DOS
2楼2010-10-23 20:28:04
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yy08

木虫 (著名写手)

PHD

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
bingmou(金币+1):感谢交流 2010-10-23 21:22:18
能带的带隙和dos的应该是一致的

如果差别在0.000才可以接受
科研并快乐着
3楼2010-10-23 20:51:41
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bingmou

金虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
ym23(金币+1):谢谢提示 2010-10-23 22:55:18
这应该是理论上的,实际计算上DOS会因为展开而缩小gap
4楼2010-10-23 21:22:20
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