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[讨论]ZnO用作光电器件的发展前景
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ZnO用作光电器件的发展前景 ZnO室温下禁带宽度为3.37 eV，具有很高的化学稳定性和热稳定性，且激子束缚能高达60 meV。被认为是有望取代GaN的新型紫外光和可见光发射半导体材料.而目前ZnO的研究受到限制,仍然不能解决p型掺杂的问题. 请大家谈谈ZnO目前的研究现状及发展前景! [ Last edited by bird007 on 2006-5-19 at 22:21 ] |
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