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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » [讨论]ZnO用作光电器件的发展前景
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xzh2006

金虫 (小有名气)

[交流] [讨论]ZnO用作光电器件的发展前景

ZnO用作光电器件的发展前景
ZnO室温下禁带宽度为3.37 eV，具有很高的化学稳定性和热稳定性，且激子束缚能高达60 meV。被认为是有望取代GaN的新型紫外光和可见光发射半导体材料.而目前ZnO的研究受到限制,仍然不能解决p型掺杂的问题.
请大家谈谈ZnO目前的研究现状及发展前景!

[ Last edited by bird007 on 2006-5-19 at 22:21 ]
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1楼 2006-05-19 12:38:36
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zhuhai0202221

0.5

我也将要去作zno了，有机会交流一下！
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5楼2006-05-19 20:01:35
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sunlive

银虫 (小有名气)
我是做ZnOp-型掺杂和homojunction
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3楼2006-05-19 18:25:31
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canmao2003

铁虫 (小有名气)

0.5

谁知道氧化锌薄膜的制备方法啊，主要是物理气相沉积
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6楼2006-06-07 20:46:01
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