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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】关于VS机理的讨论
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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sanmazi

金虫 (小有名气)

[交流] 【求助】关于VS机理的讨论 已有2人参与

大家说说，一维纳米材料的VS生长过程到底是怎么样的一个过程啊？
是不是先形核，然后气态产物在已形成的生长核心上择优取向生长呢？
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1楼 2010-10-07 08:51:25
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dugu

木虫 (小有名气)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
wandaohzl(金币+1):鼓励交流！ 2010-10-07 13:17:21
关于VS，VLS机制，好文章甚至书中都有叙述。
首先是气态源在一定的过饱和度下，在异质的衬底或某些缺陷处（形核能较低），凝结形核；
生长核形成后，由于其表面有大量不饱和键，活性很高，易吸附周围的气态增原子，于是周围增原子吸附到生长核上，通过扩散，迁移，并入到晶格中；
纳米线会沿一定晶向生长是因为该晶面表面能低，该晶向堆积、生长要快得多。
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书生老去机会方来
2楼2010-10-07 11:25:32
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hrandy

金虫 (正式写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
yunruirui(金币+1):谢谢参与交流，欢迎常来 2010-10-07 14:56:01
由晶面能的差异导致不同晶面生长速度的差异并不大，一般只会获得短棒状，或片状的纳米结构。并不能解释较长的纳米线的生长。
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3楼2010-10-07 14:20:26
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