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sanmazi

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[交流] 【求助】关于VS机理的讨论已有2人参与

大家说说，一维纳米材料的VS生长过程到底是怎么样的一个过程啊？
是不是先形核，然后气态产物在已形成的生长核心上择优取向生长呢？

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1楼 2010-10-07 08:51:25

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dugu

木虫 (小有名气)

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★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
wandaohzl(金币+1):鼓励交流！ 2010-10-07 13:17:21

关于VS，VLS机制，好文章甚至书中都有叙述。
首先是气态源在一定的过饱和度下，在异质的衬底或某些缺陷处（形核能较低），凝结形核；
生长核形成后，由于其表面有大量不饱和键，活性很高，易吸附周围的气态增原子，于是周围增原子吸附到生长核上，通过扩散，迁移，并入到晶格中；
纳米线会沿一定晶向生长是因为该晶面表面能低，该晶向堆积、生长要快得多。