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houlucky

木虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】无压烧结碳化硅陶瓷应该怎么制备呀已有6人参与

最近想做个课题，无压烧结碳化硅陶瓷制备，不知道该怎么做，希望各位虫虫指点

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1楼 2010-09-27 00:00:45

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mix20110403

银虫 (初入文坛)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

引用回帖:

10楼: Originally posted by liuning726 at 2010-10-12 19:54:06
这个温度有点低了吧？不知道你是用什么方法烧的。。。。。。。。想了解下，谢谢！...

1600？是无压烧结么？我也想了解一下谢谢

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16楼2014-09-26 16:21:24

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minstrels

铁杆木虫 (著名写手)

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418783132(金币+1):鼓励交流 2010-09-29 21:22:42
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 14:23:29

试试无压两步烧结法吧，不过估计有困难，因为碳化硅自身扩散系数较低，这也是所有无压烧结法所面临的问题。如果不行就只有原位合成了。

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4楼2010-09-29 21:11:31

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chenchang420

木虫 (小有名气)

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csuhcb2000(金币+2):欢迎交流,专业啊 2010-09-30 14:01:24
houlucky(金币+15):我想做致密的，现在没现成工艺 2010-10-04 14:02:09
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:42

首先你要明确你是做多孔的还是致密的碳化硅材料。

如果做多孔的话，就用无压烧结方法，当然需要加上烧结助剂。比如氧化钇等。这方面的文献很多。

如果做致密的话，可以用无压烧结，就是要看用什么烧结助剂和你的工艺问题了。也可以用无压反应烧结，利用反应放热来促进材料致密。举个例子，SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。

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路曼曼其修远兮，吾将上下而求索。