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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 陶瓷材料 » 【求助】无压烧结碳化硅陶瓷应该怎么制备呀
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houlucky

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】无压烧结碳化硅陶瓷应该怎么制备呀 已有6人参与

最近想做个课题，无压烧结碳化硅陶瓷制备，不知道该怎么做，希望各位虫虫指点
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1楼 2010-09-27 00:00:45
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liuning726

银虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by fangbj at 2010-10-10 18:12:50:
真空烧结吧，不需要加压的，石墨加热炉，1600度可以得到比较致密的陶瓷。

这个温度有点低了吧？不知道你是用什么方法烧的。。。。。。。。想了解下，谢谢！
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10楼2010-10-12 19:54:06
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minstrels

铁杆木虫 (著名写手)
★
418783132(金币+1):鼓励交流 2010-09-29 21:22:42
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 14:23:29
试试无压两步烧结法吧，不过估计有困难，因为碳化硅自身扩散系数较低，这也是所有无压烧结法所面临的问题。如果不行就只有原位合成了。
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4楼2010-09-29 21:11:31
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chenchang420

木虫 (小有名气)
★ ★
csuhcb2000(金币+2):欢迎交流,专业啊 2010-09-30 14:01:24
houlucky(金币+15):我想做致密的，现在没现成工艺 2010-10-04 14:02:09
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:42
首先你要明确你是做多孔的还是致密的碳化硅材料。

如果做多孔的话，就用无压烧结方法，当然需要加上烧结助剂。比如氧化钇等。这方面的文献很多。

如果做致密的话，可以用无压烧结，就是要看用什么烧结助剂和你的工艺问题了。也可以用无压反应烧结，利用反应放热来促进材料致密。举个例子，SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。
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路曼曼其修远兮，吾将上下而求索。
5楼2010-09-30 10:58:38
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dinosaur85

木虫 (正式写手)

六根未净，尘缘未了
★
418783132(金币+1):鼓励交流 2010-09-30 21:55:27
houlucky(金币+5):我们设备只能到1900度，所以只能加助剂 2010-10-04 14:03:15
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:46
无压烧结，分加入烧结助剂与否，加入的一般添加氧化铝和氧化钇，可在1900左右烧成，是液相烧结；不加的呢，就是直接加入成型剂，碳粉或者石墨，再加点增加强度的原料，造粒，干压成型，烧结，估计要2100度多一点吧，也有反应烧结的，也是无压，是直接加硅粉
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人生不过生与死，世事不过得与失
6楼2010-09-30 15:16:01
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