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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 催化反应 » 【讨论】半导体SiC的禁带宽度也适合光解水，怎么没有见相关的文献报道啊？求解中。。�
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杨静静

金虫 (小有名气)

[交流] 【讨论】半导体SiC的禁带宽度也适合光解水，怎么没有见相关的文献报道啊？求解中。。� 已有3人参与

我看到很多文献上在总结适合光解水的半导体时，SiC都是其中之一，而且其禁带宽度也是合适的，为什么关于SiC在光催化分解水方面的文献报道几乎找不到呢？大家知道为什么吗？求解。。。。。。
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1楼 2010-09-25 17:53:07
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by bingyu0729 at 2010-09-25 21:49:59:

同问？请问你是做光催化制氢的吗？

我还没有开始做呢，正在调研这个课题。
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3楼2010-09-26 08:09:45
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by zhangpeng8374 at 2010-09-26 11:16:02:
碳化硅的催化研究已有报道，你可以多搜点文献找到解释。

我找到了一些关于SiC的报道，基本都是关于催化降解有机物的，想知道SiC能不能用在光解水方向，这个方向只找到一两篇文章。您能给我详细说说吗？
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7楼2010-09-26 15:19:12
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by chinawhirl at 2010-09-26 09:15:58:
碳化硅为间接带隙半导体，效率要低

有道理，能详细讲讲吗？嘿嘿！
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8楼2010-09-26 15:19:59
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杨静静

金虫 (小有名气)
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Originally posted by snowman1987 at 2010-09-28 07:56:18:
碳化硅研究光解水的文献还是有的，可以查看一些关于碳化硅量子点的文章。

你好！我只查到了两篇，你那边有这方面的文章吗？能不能给我传几篇，或者给我说一下题目，我自己去找也可以，我的邮箱hahajing1229@163.com
谢谢啦！
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15楼2010-09-28 08:53:37
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by snowman1987 at 2010-09-29 08:11:19:
这方面的文献我没有，但是我一个师兄就是做硫化铬和碳化硅的量子点，听他说这方面文献还是很多的。你再放大范围查查噢。祝好！

好的，非常感谢你啊！
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18楼2010-09-29 13:55:27
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杨静静

金虫 (小有名气)
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Originally posted by zhangpeng8374 at 2010-09-29 18:24:27:
是的，碳化硅的光催化降解有机物的效率也不是很高，可以考虑修饰改善。氧化和还原是同一事物的两个方面，电子和空穴也是相应而生的，空穴可以氧化有机物，那么电子就会有相应的还原能力。

你好！能讲一下碳化硅光降解效率为什么不高吗？
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21楼2010-09-30 08:29:19
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 7zzz at 2010-10-04 20:16:53:
SiC的价带导带位置都非常的高，而且带隙也挺宽的
激发这样的半导体应该需要很高的能量 可见光几乎不激发 是不是因为这个原因研究的少？

SiC的带隙是3.0ev，而TiO2是3.2ev，而且其导带和价带的位置也是适合光解水的，我想也许不是这个原因，前面有人提到的可能是因为SiC是间接带隙半导体，光生电子的激发需要更大的能量，我个人觉得这个理由可能更充分些，欢迎你继续讨论。
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25楼2010-10-05 20:39:12
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 7zzz at 2010-10-10 09:51:52:
刚看文献看到的，原因是因为光腐蚀，可能是激发的电子能量太高了吧。

原文
However, most of the semiconductors, such as
CdS and SiC, that cause photocorrosion, are not suitable for water-splitting
...

非常感谢你，我先找这篇文献看看。
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27楼2010-10-10 11:02:24
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杨静静

金虫 (小有名气)
自己顶一下！大家帮帮忙哈！
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28楼2010-10-29 13:03:58
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