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【交流】做厚膜，粉末化较严重 已有3人参与
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| 最近用热蒸发方法沉积化合物半导体多晶膜，厚膜，厚度在um级别，但是现在的结果是表面粉末化较严重。但是与基片接触的很薄部分结晶很好。有没有大虫做过类似的，或遇到类似的情况。小弟急切想交流，尽快弄清其原因与激励！！！ |
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2楼2010-09-14 16:53:23
3楼2010-09-14 23:39:06
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4楼2010-09-15 13:55:09
提高真空度是主要的
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
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提高真空度是主要的，衬底要平整和坚实。或者改用溅射镀膜。 本文来自: 小木虫论坛 http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=2397519&fpage=3 |
5楼2010-12-17 10:32:14
