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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】询问硅各向同性腐蚀
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xiangqy

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】询问硅各向同性腐蚀 已有3人参与

请问用 HF∶HNO3∶CH3 COOH或 HF∶HNO3 ∶H2O的硅的各向同性腐蚀蚀。做为保护的二氧化硅能不能被保留啊？还是会被腐蚀掉。有没有办法让二氧化硅被保留？谢谢！
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1楼 2010-09-13 22:53:53
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
你是在硅粉外面制备了一层氧化硅？
而后又要把硅腐蚀掉一部分使硅粉直径变小，而同时还要保留二氧化硅？
如果是的话，你的二氧化硅是多孔的吗？否则，怎么保证被包覆的硅反应呢！？
有些溶剂能够不腐蚀二氧化硅但是腐蚀硅，可以试一试，只有你的包覆层不是完全包覆。
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8楼2013-05-05 11:44:50
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感觉

银虫 (初入文坛)
★ ★ ★
GrasaVampiro(金币+3): 2010-11-30 20:42:42
楼主所选的腐蚀液适合对Si进行化学抛光，可以与Si发生化学反应，
SiO2会和HNO3发生反应，被溶解掉，不能被保留。如果想对硅进行腐蚀，同时又想保留下二氧化硅，湿法化学腐蚀怕应该做不到，因为能腐蚀硅的腐蚀液则肯定能够将二氧化硅腐蚀掉。
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2楼2010-11-30 19:08:32
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 感觉 at 2010-11-30 19:08:32:
楼主所选的腐蚀液适合对Si进行化学抛光，可以与Si发生化学反应，
SiO2会和HNO3发生反应，被溶解掉，不能被保留。如果想对硅进行腐蚀，同时又想保留下二氧化硅，湿法化学腐蚀怕应该做不到，因为能腐蚀硅的腐蚀液则 ...

从我的经验看用KOH可以既刻蚀硅又能留住二氧化硅，这是因为两者同KOH的反应速率相差很大的原因。当然，不能保证二氧化硅一点都不损失。

对于LZ的各项同性腐蚀，我不推荐用KOH，可以试一试TMAH。
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3楼2010-12-06 20:15:26
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lilizi

铜虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
3楼: Originally posted by quanbaogang at 2010-12-06 20:15:26
从我的经验看用KOH可以既刻蚀硅又能留住二氧化硅，这是因为两者同KOH的反应速率相差很大的原因。当然，不能保证二氧化硅一点都不损失。

对于LZ的各项同性腐蚀，我不推荐用KOH，可以试一试TMAH。...

请问下用KOH或TMAH腐蚀硅又留下SiO2的浓度大概在什么范围内和处理多长时间对SiO2的损失较少
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5楼2013-04-27 16:03:13
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