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vaspstudy银虫 (小有名气)
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[交流]
【其他】缺陷形成能与电中性要求 已有5人参与
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S. B. Zhang PRL67(1991)2339中对电中性的要求是 其中左边第一性为缺陷电荷密度，第二项为电子浓度，第三项为空穴浓度；右边为有效掺杂水平。 而在S. B. Zhang PRB 47(1993) 6791中，张老师对电中性的描述却是  求对此有研究的虫友们帮忙解释一下，谢谢啊 |
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valenhou001
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11楼2010-09-14 19:15:42
江山8806
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搭车问路： 对于带电的缺陷，比如失去一个O原子的氧化物，它还是电中性的，核电荷数等于电子数。但是有不少文献讨论缺陷带电的情况，我一直没有搞明白其物理图像。 超胞核电荷数设为Z,总电子数设为NELECT. 令NELECT=Z+n。如n=1，表示缺陷带一个负电荷，超胞也是带一个负电荷的。 有文献讨论n的具体数字（1，2，3，...），来看不同荷电情况下超胞的稳定性，能量最低的认为是最稳定的，所对应的n就是平衡带电电子数。 那么，指定超胞荷电数是通过NELECT参数来实现的？NELECT只能给出总电荷数，而不能具体指定缺陷位置（如原子空穴）电荷数。如果通过NELECT引入的过量电子（超过Z）是局域的，那超胞收敛后做电子布局，就可以找到电子局域到那个原子上了？ [ Last edited by 江山8806 on 2010-9-13 at 16:52 ] |
2楼2010-09-13 16:50:40
vaspstudy
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3楼2010-09-13 20:37:53
valenhou001
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cenwanglai(金币+1):谢谢侯老师回帖。这篇文献是讲得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金币+1): 2010-09-14 09:18:15
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cenwanglai(金币+1):谢谢侯老师回帖。这篇文献是讲得很好。 2010-09-14 09:17:15
cenwanglai(金币+1): 2010-09-14 09:18:15
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建议做点缺陷的计算时，仔细读读这篇文献： J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004); doi:10.1063/1.1682673 (29 pages) First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides Chris G. Van de Walle1 and Jörg Neugebauer2 http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v95/i8/p3851_s1 这篇文献讲的很详细。 |
4楼2010-09-13 21:38:07
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