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huangfumin木虫 (著名写手)
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【求助】LED外延片(蓝宝石基底MOCVD外延生长GaN)--要求-谢谢
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如题,由于实验需要,想购买一些LED外延片(c面蓝宝石基底GaN),但不知道常常使用(商业)上的LED对基片(外延片)的要求都有那些。有朋友是做这方面的吗?我查找了部分论文和标准,但不是很全面,SEMI和国标上有一部分。 在工业中,是否对低温GaN(缓存层)和高温GaN(真正作用层)的厚度有要求?各个论文中提及的他们的厚度都不等,前者为大约为nm级别,后者为1um左右。这些都是通过MOCVD的工艺(处理时间)进行控制的。 小弟在此请教一下,c面蓝宝石基底的GaN外延片的要求,如前提及的两个GaN的厚度等,或者对其基底蓝宝石的要求(是否仅仅其标准跟抛光蓝宝石国标一样?)。 望各位大侠相助,谢谢啦。 [ Last edited by huangfumin on 2010-9-6 at 09:02 ] |
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