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huangfumin

木虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】LED外延片（蓝宝石基底MOCVD外延生长GaN）--要求-谢谢

如题，由于实验需要，想购买一些LED外延片（c面蓝宝石基底GaN），但不知道常常使用（商业）上的LED对基片（外延片）的要求都有那些。有朋友是做这方面的吗？我查找了部分论文和标准，但不是很全面，SEMI和国标上有一部分。
   在工业中，是否对低温GaN（缓存层）和高温GaN（真正作用层）的厚度有要求？各个论文中提及的他们的厚度都不等，前者为大约为nm级别，后者为1um左右。这些都是通过MOCVD的工艺（处理时间）进行控制的。
   小弟在此请教一下，c面蓝宝石基底的GaN外延片的要求，如前提及的两个GaN的厚度等，或者对其基底蓝宝石的要求（是否仅仅其标准跟抛光蓝宝石国标一样？）。
      望各位大侠相助，谢谢啦。

[ Last edited by huangfumin on 2010-9-6 at 09:02 ]

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