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iamdick

新虫 (初入文坛)

[交流] 【讨论】有关阻抗谱的两个容抗弧 已有6人参与

在测得的EIS图谱中出现了两个容抗弧,根据我们的具体实验分析,一个应该是有关膜层的阻抗,另一个应该是电荷转移本身引起的阻抗。

请问一般情况下,高频部分表示膜层信息还是低频部分?还是没有严格的说法?

另外warbrug系数,有相应的W-s和W-o,这两个有什么区别?
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清水磐石

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你可以参照锂电的EIS
10楼2010-07-13 09:26:38
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bridge_cool

新虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
高频部分除了溶液的欧姆电阻外,还包括体系中的其它可能存在的欧姆电阻,如电极表面膜的欧姆电阻、电池隔膜的欧姆电阻、电极材料本身的欧姆电阻等。
3楼2010-07-12 12:02:58
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iamdick

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by iamdick at 2010-07-12 11:23:01:
在测得的EIS图谱中出现了两个容抗弧,根据我们的具体实验分析,一个应该是有关膜层的阻抗,另一个应该是电荷转移本身引起的阻抗。

请问一般情况下,高频部分表示膜层信息还是低频部分?还是没有严格的说法?
...

但是,“曹楚南的电化学阻抗谱导论一书,低频时,wrc《1,/z/就近似等于电阻R,整个电路的阻抗就相当于膜层阻抗”。所以我也不确定啦!
4楼2010-07-12 13:13:31
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iamdick

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by hsjknow at 2010-07-12 12:00:56:
高频部分的半圆弧表示膜层性息

曹楚南的电化学阻抗谱导论一书,低频时,wrc《1,/z/就近似等于电阻R,整个电路的阻抗就相当于膜层阻抗,所以我也不确定呢!
5楼2010-07-12 13:14:21
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