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【讨论】有关阻抗谱的两个容抗弧
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iamdick
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【讨论】有关阻抗谱的两个容抗弧
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在测得的EIS图谱中出现了两个容抗弧,根据我们的具体实验分析,一个应该是有关膜层的阻抗,另一个应该是电荷转移本身引起的阻抗。
请问一般情况下,高频部分表示膜层信息还是低频部分?还是没有严格的说法?
另外warbrug系数,有相应的W-s和W-o,这两个有什么区别?
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1楼
2010-07-12 11:23:01
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清水磐石
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小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖交流
你可以参照锂电的EIS
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2010-07-13 09:26:38
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bridge_cool
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★
小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖交流
高频部分除了溶液的欧姆电阻外,还包括体系中的其它可能存在的欧姆电阻,如电极表面膜的欧姆电阻、电池隔膜的欧姆电阻、电极材料本身的欧姆电阻等。
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3楼
2010-07-12 12:02:58
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iamdick
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引用回帖:
Originally posted by
iamdick
at 2010-07-12 11:23:01:
在测得的EIS图谱中出现了两个容抗弧,根据我们的具体实验分析,一个应该是有关膜层的阻抗,另一个应该是电荷转移本身引起的阻抗。
请问一般情况下,高频部分表示膜层信息还是低频部分?还是没有严格的说法?
...
但是,“曹楚南的电化学阻抗谱导论一书,低频时,wrc《1,/z/就近似等于电阻R,整个电路的阻抗就相当于膜层阻抗”。所以我也不确定啦!
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4楼
2010-07-12 13:13:31
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iamdick
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Originally posted by
hsjknow
at 2010-07-12 12:00:56:
高频部分的半圆弧表示膜层性息
曹楚南的电化学阻抗谱导论一书,低频时,wrc《1,/z/就近似等于电阻R,整个电路的阻抗就相当于膜层阻抗,所以我也不确定呢!
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5楼
2010-07-12 13:14:21
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