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【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带 已有6人参与
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最近在做计算的时候遇到一件很诡异的事情，在同样的超晶胞大小，同样的精度条件下，对所研究体系进行掺杂和未掺杂的对比计算时候发现，掺杂前后，能带结构没有太大变化。 但是掺杂后，导带中新生成一个能带，而且费米能级进入导带，禁带宽度几乎为0，这和本征态的禁带宽度相差实在太大；未掺杂时，费米能级位于价带顶，禁带宽度在可以接受的误差范围以内。 不知各位有没有遇到过这种情况，您们是如何处理的？是不是说掺杂后，castep就不把费米能级限制在了价带顶？禁带宽度是否可以按照castep文件中的数据进行处理，而无视其直接的给出这一数据？ 谢谢各位了。 P.S.:体系中所有的元素都是非金属，仅有Si，N，C三种元素 掺杂后的  未掺杂的  [ Last edited by carlaty on 2010-7-6 at 15:56 ] |
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