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carlaty

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[交流] 【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带已有6人参与

最近在做计算的时候遇到一件很诡异的事情，在同样的超晶胞大小，同样的精度条件下，对所研究体系进行掺杂和未掺杂的对比计算时候发现，掺杂前后，能带结构没有太大变化。
但是掺杂后，导带中新生成一个能带，而且费米能级进入导带，禁带宽度几乎为0，这和本征态的禁带宽度相差实在太大；未掺杂时，费米能级位于价带顶，禁带宽度在可以接受的误差范围以内。
不知各位有没有遇到过这种情况，您们是如何处理的？是不是说掺杂后，castep就不把费米能级限制在了价带顶？禁带宽度是否可以按照castep文件中的数据进行处理，而无视其直接的给出这一数据？
谢谢各位了。
P.S.:体系中所有的元素都是非金属，仅有Si，N，C三种元素

掺杂后的

未掺杂的

[ Last edited by carlaty on 2010-7-6 at 15:56 ]

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1楼 2010-07-05 21:08:53

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shiyu_xueshu

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引用回帖:

9楼: Originally posted by youqin5912 at 2014-01-16 11:17:16

我也是同样的问题啊，最后楼主这么解决的？

你的问题后来解决了吗？

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坚持就是胜利，敏而好学，不耻下问。

10楼2014-08-27 15:37:15

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guolianshun

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sunyang1988(金币+1):谢谢交流 2010-12-10 10:57:34

引用回帖:

Originally posted by carlaty at 2010-07-05 21:08:53:
最近在做计算的时候遇到一件很诡异的事情，在同样的超晶胞大小，同样的精度条件下，对所研究体系进行掺杂和未掺杂的对比计算时候发现，掺杂前后，能带结构没有太大变化。
但是掺杂后，导带中新生成一个能带，而且 ...

你这是导带位置下降，不是费米能级上升。你的费米能级就误认为是零点。但是费米能级在DOS文件有实际值。

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2楼2010-12-10 10:54:19

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