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孙?�730

至尊木虫 (知名作家)

优秀版主

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小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
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[ Last edited by ????730 on 2010-6-29 at 01:51 ]
sunyu730_emuch@126.com
11楼2010-06-29 01:37:57
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diamondfire

木虫 (正式写手)

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Originally posted by ????730 at 2010-06-29 01:37:57:
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再烦,也别忘微笑;再急,也要注意语气;再苦,也别忘坚持;再累,也要爱自己。低调做人,你会一次比一次稳健;高调做事,你会一次比一次优秀。
12楼2010-06-29 02:50:08
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fah

铁杆木虫 (著名写手)

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介电常数反映了极化能力,显然更绝缘的材料极化电荷可以保留更多,而金属的极化电荷只能存在于表面,从这个角度看是不是可以比较简单的认为Eg越小,其导电能力越强,因而极化电荷自由移动到表面的能力越大,导致介质内部的极化电荷更小,导致介电常数变小
13楼2010-07-31 17:44:51
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crystalic

铜虫 (著名写手)

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引用回帖:
13楼: Originally posted by fah at 2010-07-31 17:44:51:
介电常数反映了极化能力,显然更绝缘的材料极化电荷可以保留更多,而金属的极化电荷只能存在于表面,从这个角度看是不是可以比较简单的认为Eg越小,其导电能力越强,因而极化电荷自由移动到表面的能力越大,导致介 ...

为啥极化电荷只往表面移动
14楼2011-12-30 09:42:08
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lwj1024

木虫 (小有名气)

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送红花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by diamondfire at 2010-06-28 23:57:13
谢谢你的回答。
我确实是例举了比较特殊的材料。
但是遍历大部分高K材料,把他们的K值和Eg画在一张图中,可以发现他们大致呈现K值随Eg的减小而增大的关系。从减小栅极击穿角度讲,如果衬底半导体材料一定,隧 ...

你好,请问有“从减小栅极击穿角度讲,如果衬底半导体材料一定,隧穿几率和价带导带的偏置(band offset)有正比关系。band offset越小,隧穿电流越大。所以希望寻找禁带宽度尽量大,而且K值高的材料。”的文献不?可否提供1~2篇,非常感谢!
15楼2014-08-12 15:33:04
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lwj1024

木虫 (小有名气)

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11?: Originally posted by ????730 at 2010-06-29 01:37:57
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16楼2014-08-12 16:10:17
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小小小菜鸟88

铜虫 (小有名气)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
16楼: Originally posted by lwj1024 at 2014-08-12 16:10:17
你好,请问有“从减小栅极击穿角度讲,如果衬底半导体材料一定,隧穿几率和价带导带的偏置(band offset)有正比关系。band offset越小,隧穿电流越大。所以希望寻找禁带宽度尽量大,而且K值高的材料。”的文献不? ...

这个跟隧穿机制有关,简单的说,热电子发射需要从衬底跨越势垒,而势垒高度为珊介质和衬底的导带带偏,具体的值都可以通过FN隧穿计算。
17楼2014-12-06 22:23:35
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小小小菜鸟88

铜虫 (小有名气)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
很想知道,楼主有没有找到K值高而且介电常数大的反例?
18楼2014-12-06 22:25:39
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