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diamondfire

木虫 (正式写手)

[交流] 【交流】为什么高K材料K值越高,禁带宽度越小? 已有7人参与

为什么复介电常数k高的材料,禁带普遍窄?
请赐教。

[ Last edited by diamondfire on 2010-6-29 at 02:45 ]
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diamondfire

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by GrasaVampiro at 2010-06-28 23:48:06:
不知道你的举的例子的普遍性如何,根据我的理解,高K材料是用于绝缘层尽可能防止电子隧穿引起的漏电流,而且K值越高,绝缘效果越好,所以这个K值与电子输运有关
而Eg是材料光学跃迁难易的参数,
K和Eg的直接关系 ...

谢谢你的回答。
我确实是例举了比较特殊的材料。
但是遍历大部分高K材料,把他们的K值和Eg画在一张图中,可以发现他们大致呈现K值随Eg的减小而增大的关系。从减小栅极击穿角度讲,如果衬底半导体材料一定,隧穿几率和价带导带的偏置(band offset)有正比关系。band offset越小,隧穿电流越大。所以希望寻找禁带宽度尽量大,而且K值高的材料。
但是Eg和K值的关系确实还蒙着层面纱。
很谢谢你耐心的回复。

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8楼2010-06-28 23:57:13
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)

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优秀版主


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你先举个例子,哪种材料?
从此不问江湖事
2楼2010-06-28 17:25:27
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)

微信XGBerlin

优秀版主

★ ★
小木虫:)(金币+2):3q 2010-06-28 18:31:42
一个极端的反例,金属,复介电常数高,因为其耗散大,虚部大,但金属有禁带吗?
从此不问江湖事
3楼2010-06-28 17:27:25
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diamondfire

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by GrasaVampiro at 2010-06-28 17:25:27:
你先举个例子,哪种材料?

谢谢你的解答。
那么换种说法,直接比较介电常数的实部:

SiO2(k=3.9 Eg=8.9eV)
Al2O3 (k=10, Eg=8.5eV)
ZrO2 (k=20, Eg=6eV)
HfO2 (k=24, Eg=5.6eV)
BaO (k=32, Eg=4eV)
TiO2 (k=58, Eg=3.2eV)

这其中必然存在某种联系,想听听你的见解。
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4楼2010-06-28 22:12:22
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