| 查看: 5235 | 回复: 9 | |||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||
[交流]
【求助】PBE0 计算Si、Ge能带结构已有6人参与
|
|||||
|
请教高手,用vasp5.2的pbe0计算硅锗能带结构时,所得的能带结构图上总会出现尖锐的峰值,显然计算数据有问题,用4.6版计算的能带结构和教科书上比较温和,为何同样的设置做PBE0时就出错了。请做过PBE0计算的大虾指点一下 以下是我的个文件: 以ge为例,做优化时的设置 INCAR: SYSTEM = Azoc MD PREC = Medium EDIFF = 1e-5 EDIFFG = -2e-2 IALGO = 48 NPAR = 2 LPLANE = TRUE LCHARG = .TRUE. NELMIN = 3 LREAL = F ROPT = 1E-3 ISYM = 1 NWRITE = 1 SPIN POLARIZATION SPECIFICATION ISPIN = 1 IONIC RELAXATION NSW = 200 NBLOCK = 1 IBRION = 2 POTIM = 0.5 LWAVE = .F. LCHG = .T. ISIF = 2 LCHARG = .TRUE. ELECTRON OCCUPATION ISMEAR = 0 occupation forced by INCAR DOS Stuff SIGMA = 0.1 check T*S to make sure LHFCALC = .TRUE. AEXX = 0.2 KPOINTS: 0 Monkhorst-Pack 4 4 4 0. 0. 0. POSCAR: Ge 5.6575 0.5 0.5 0.0 0.0 0.5 0.5 0.5 0.0 0.5 2 Cartesian 0.0000000000000 0.00000000000 0.0000000000000 0.2500000000000 0.25000000000 0.2500000000000 算能带时设置 INCAR: SYSTEM = Azoc MD PREC = Medium EDIFF = 1e-5 EDIFFG = -2e-2 IALGO = 48 NPAR = 2 LPLANE = TRUE LCHARG = .TRUE. NELMIN = 3 LREAL = F ROPT = 1E-3 ISYM = 1 NWRITE = 1 ICHARG = 11 SPIN POLARIZATION SPECIFICATION ISPIN = 1 IONIC RELAXATION NSW = 1 NBLOCK = 1 IBRION = 1 POTIM = 0.5 LWAVE = .F. LCHG = .T. ISIF = 2 LCHARG = .TRUE. ELECTRON OCCUPATION ISMEAR = 0 occupation forced by INCAR DOS Stuff SIGMA = 0.1 check T*S to make sure LHFCALC = .TRUE. AEXX = 0.2 KPOINTS: Automatic mesh 19 rec 0.50000000 0.50000000 0.50000000 0.050 0.44444444 0.44444444 0.44444444 0.050 0.38888889 0.38888889 0.38888889 0.050 0.33333333 0.33333333 0.33333333 0.050 0.27777778 0.27777778 0.27777778 0.050 0.22222222 0.22222222 0.22222222 0.050 0.16666667 0.16666667 0.16666667 0.050 0.11111111 0.11111111 0.11111111 0.050 0.05555556 0.05555556 0.05555556 0.050 0.00000000 0.00000000 0.00000000 0.050 0.05555556 0.05555556 0.00000000 0.050 0.11111111 0.11111111 0.00000000 0.050 0.16666667 0.16666667 0.00000000 0.050 0.22222222 0.22222222 0.00000000 0.050 0.27777778 0.27777778 0.00000000 0.050 0.33333333 0.33333333 0.00000000 0.050 0.38888889 0.38888889 0.00000000 0.050 0.44444444 0.44444444 0.00000000 0.050 0.50000000 0.50000000 0.00000000 0.050 恳请高手指点,非常急,拜托了! [ Last edited by 1984mjx on 2010-6-4 at 16:29 ] |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
VASP | 计算与催化 |
» 猜你喜欢
到新单位后,换了新的研究方向,没有团队,持续积累2区以上论文,能申请到面上吗
已经有7人回复
申请2026年博士
已经有5人回复
天津工业大学郑柳春团队欢迎化学化工、高分子化学或有机合成方向的博士生和硕士生加入
已经有5人回复
寻求一种能扛住强氧化性腐蚀性的容器密封件
已经有6人回复
2025冷门绝学什么时候出结果
已经有7人回复
请问有评职称,把科研教学业绩算分排序的高校吗
已经有6人回复
Bioresource Technology期刊,第一次返修的时候被退回好几次了
已经有7人回复
请问哪里可以有青B申请的本子可以借鉴一下。
已经有4人回复
请问下大家为什么这个铃木偶联几乎不反应呢
已经有5人回复
康复大学泰山学者周祺惠团队招收博士研究生
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:
有关石墨烯能带结构的计算
已经有11人回复
谁能告诉我利用CASTEP计算的能带结构和光学性质不一致/谢谢
已经有19人回复
请教一个关于MS里计算出的能带结构图的问题
已经有5人回复
【求助】金红石结构TiO2(110)表面体系能带结构计算得到的结果只有一半
已经有5人回复
【求助】怎么确定abinit计算能带结构的费米能位置
已经有6人回复
【求助成功】计算能带结构时出现错误,请教
已经有19人回复
【其他】关于GW(准粒子计算能带结构等)方法的工作
已经有6人回复
【求助】初学者求助: 紧束缚方法计算能带结构
已经有5人回复
【求助】用vasp4.6计算GaAs的能带结构
已经有18人回复
【求助】怎样由能带结构和态密度看计算的结构是不是可能存在超导现象
已经有12人回复
【求助】为什么Ge 可以做 Laser pen (发光材料)而Si不可以?(能带理论解释)
已经有9人回复
4楼2010-06-06 17:14:41
7楼2010-06-10 21:33:32













回复此楼