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1984mjx

[交流] 【求助】PBE0 计算Si、Ge能带结构已有6人参与

请教高手,用vasp5.2的pbe0计算硅锗能带结构时,所得的能带结构图上总会出现尖锐的峰值,显然计算数据有问题,用4.6版计算的能带结构和教科书上比较温和,为何同样的设置做PBE0时就出错了。请做过PBE0计算的大虾指点一下

以下是我的个文件:
以ge为例,做优化时的设置
INCAR:
SYSTEM    =  Azoc MD

     PREC    = Medium
     EDIFF   = 1e-5
     EDIFFG  = -2e-2     
     IALGO  =  48
     
      NPAR     = 2
     LPLANE   = TRUE
     LCHARG  = .TRUE.

     NELMIN  = 3         
     LREAL = F
     ROPT = 1E-3   
     ISYM    = 1   
     NWRITE  = 1
   
   

  SPIN POLARIZATION SPECIFICATION
     ISPIN   = 1

  IONIC RELAXATION
     NSW     = 200   
     NBLOCK  = 1      
     IBRION  = 2      
     POTIM   = 0.5   
     LWAVE = .F.
     LCHG  = .T.
     ISIF = 2
      LCHARG  = .TRUE.
  ELECTRON OCCUPATION
     ISMEAR = 0   occupation forced by INCAR

  DOS Stuff
     SIGMA   = 0.1       check T*S to make sure
     LHFCALC = .TRUE.
     AEXX = 0.2

KPOINTS:
0
Monkhorst-Pack
4 4 4  
0.  0.  0.
POSCAR:
  Ge
5.6575
0.5 0.5 0.0
0.0 0.5 0.5
0.5 0.0 0.5
2
Cartesian
     0.0000000000000     0.00000000000     0.0000000000000
     0.2500000000000     0.25000000000     0.2500000000000


算能带时设置
INCAR:
SYSTEM    =  Azoc MD

     PREC    = Medium
     EDIFF   = 1e-5
     EDIFFG  = -2e-2     
     IALGO  =  48
     
      NPAR     = 2
     LPLANE   = TRUE
     LCHARG  = .TRUE.

     NELMIN  = 3         
     LREAL = F
     ROPT = 1E-3   
     ISYM    = 1   
     NWRITE  = 1
    ICHARG = 11
   

  SPIN POLARIZATION SPECIFICATION
     ISPIN   = 1

  IONIC RELAXATION
     NSW     = 1   
     NBLOCK  = 1      
     IBRION  = 1      
     POTIM   = 0.5   
     LWAVE = .F.
     LCHG  = .T.
     ISIF = 2
      LCHARG  = .TRUE.
  ELECTRON OCCUPATION
     ISMEAR = 0   occupation forced by INCAR

  DOS Stuff
     SIGMA   = 0.1       check T*S to make sure
     LHFCALC = .TRUE.
     AEXX = 0.2
   
KPOINTS:
Automatic mesh
19
rec
   0.50000000  0.50000000  0.50000000       0.050
   0.44444444  0.44444444  0.44444444       0.050
   0.38888889  0.38888889  0.38888889       0.050
   0.33333333  0.33333333  0.33333333       0.050
   0.27777778  0.27777778  0.27777778       0.050
   0.22222222  0.22222222  0.22222222       0.050
   0.16666667  0.16666667  0.16666667       0.050
   0.11111111  0.11111111  0.11111111       0.050
   0.05555556  0.05555556  0.05555556       0.050
   0.00000000  0.00000000  0.00000000       0.050
   0.05555556  0.05555556  0.00000000       0.050
   0.11111111  0.11111111  0.00000000       0.050
   0.16666667  0.16666667  0.00000000       0.050
   0.22222222  0.22222222  0.00000000       0.050
   0.27777778  0.27777778  0.00000000       0.050
   0.33333333  0.33333333  0.00000000       0.050
   0.38888889  0.38888889  0.00000000       0.050
   0.44444444  0.44444444  0.00000000       0.050
   0.50000000  0.50000000  0.00000000       0.050


恳请高手指点,非常急,拜托了!

[ Last edited by 1984mjx on 2010-6-4 at 16:29 ]
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1984mjx

PBE0 计算Si、Ge能带结构

首先非常感谢楼上的同仁的帮助,我也是自己在摸索pbe0的计算,不太懂里面的具体设置,花了不少时间也没解决好这个问题,用PAE0做能带计算的步骤和gga的不一样吗,我都是先做结构优化,然后将产生的CHGCAR/CHG文件考到新文件夹下,将ICHARG = 11设定后计算,最后在产生的文件EIGENVAL读取能带信息,请楼上的帮个忙,能把你做pBE0计算能带的INCAR 、kpoints、poscar、贴出来共享一下吗,不胜感激额,先行谢过了!
4楼2010-06-06 17:14:41
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1984mjx

引用回帖:
Originally posted by wo8165827 at 2010-06-08 17:55:34:
态密度计算过程中,你可以计算出来的效果不是很平滑,那就需要调节参数来计算,从结构优化开始到DOS计算都是有可以调的参数。具体可以参考侯老师的说明书,

非常感谢您的指点,再麻烦您一下,能给我发份侯老师的说明书吗,再次感谢邮箱:1984mjx@163.com
7楼2010-06-10 21:33:32
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