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meimeinn

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】GW精度问题 已有5人参与

我用GW方法计算晶体Si的能隙,得到的结果总是1.46eV,跟实验值1.17eV相差很大.对于参数的设定,我不管怎么提高精度,结果都是一样的。比如下面的参数:
ecut=20Ha, ecutsigx=15Ha, ecutwfn = 15Ha, nband = 100,
根据帮助里的说明,应该足够精确了,但是结果为什么这么差呢?我是新手,哪位知道应该如何修改参数的,帮帮忙,谢谢了。
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lfhuang

木虫 (著名写手)

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aylayl08(金币+2):谢谢解释 2010-05-19 20:54:49
可能是赝势方面的原因,赝势不好,激发态的Kohn-Sham波函数会差别较大,从而导致GW结果有所不同。
先进使役材料计算(https://aidme.nimte.ac.cn)
2楼2010-05-19 18:48:44
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meimeinn

银虫 (小有名气)

恩,谢谢,应该使用哪个赝势?我用的是14Si.pspnc,这个是LDA,因为正常GW计算用的都是LDA.我换了另一个LDA赝势,根本没法计算。
3楼2010-05-19 20:05:23
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lfhuang

木虫 (著名写手)

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aylayl08(金币+2):谢谢提示 2010-05-19 20:55:13
引用回帖:
Originally posted by meimeinn at 2010-05-19 20:05:23:
恩,谢谢,应该使用哪个赝势?我用的是14Si.pspnc,这个是LDA,因为正常GW计算用的都是LDA.我换了另一个LDA赝势,根本没法计算。

呵呵,不好意思,我没有用过ABINIT。如果程序提供赝势产生器的话,楼主可以自己产生赝势。有时候网络上可以下载的势能文件并不好,应根据具体问题有所取舍。
先进使役材料计算(https://aidme.nimte.ac.cn)
4楼2010-05-19 20:12:05
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meimeinn

银虫 (小有名气)

好的,谢谢你了
5楼2010-05-19 20:50:40
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mailoliver

金虫 (小有名气)


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我算过Si的GW带隙,楼主用的赝势没问题,应该得到约1.1eV。楼主是不是算了gamma,X点之间的带隙啊?
6楼2010-05-19 21:58:58
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meimeinn

银虫 (小有名气)

不是gamma点的,结果中给出的是fundamental gap,价带顶在0 0 0,导带底在0.5 0.5 0
7楼2010-05-19 23:29:12
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meimeinn

银虫 (小有名气)

能把你的输入文件发给我一份吗?我想仔细核对下,到底是哪些参数用的不对,我就光改了上面我提到的几个参数,还有那些参数对能隙影响是比较大的?
8楼2010-05-19 23:31:02
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mailoliver

金虫 (小有名气)


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引用回帖:
Originally posted by meimeinn at 2010-05-19 23:29:12:
不是gamma点的,结果中给出的是fundamental gap,价带顶在0 0 0,导带底在0.5 0.5 0

导带底在0.4 0.4 0附近,你搞错了。
9楼2010-05-20 06:05:03
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meimeinn

银虫 (小有名气)

恩,谢谢啊,对了,这个怎么改?Kptgw怎么生成呀?
10楼2010-05-20 15:47:41
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