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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Abinit » 【求助】GW精度问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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meimeinn

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】GW精度问题 已有5人参与

我用GW方法计算晶体Si的能隙，得到的结果总是1.46eV，跟实验值1.17eV相差很大.对于参数的设定，我不管怎么提高精度，结果都是一样的。比如下面的参数：
ecut=20Ha, ecutsigx=15Ha, ecutwfn = 15Ha, nband = 100,
根据帮助里的说明，应该足够精确了，但是结果为什么这么差呢？我是新手，哪位知道应该如何修改参数的，帮帮忙，谢谢了。
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1楼 2010-05-19 17:12:27
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
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aylayl08(金币+2):谢谢解释 2010-05-19 20:54:49
可能是赝势方面的原因，赝势不好，激发态的Kohn-Sham波函数会差别较大，从而导致GW结果有所不同。
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
2楼2010-05-19 18:48:44
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meimeinn

银虫 (小有名气)
恩，谢谢，应该使用哪个赝势？我用的是14Si.pspnc,这个是LDA，因为正常GW计算用的都是LDA.我换了另一个LDA赝势，根本没法计算。
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3楼2010-05-19 20:05:23
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
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aylayl08(金币+2):谢谢提示 2010-05-19 20:55:13
引用回帖:
Originally posted by meimeinn at 2010-05-19 20:05:23:
恩，谢谢，应该使用哪个赝势？我用的是14Si.pspnc,这个是LDA，因为正常GW计算用的都是LDA.我换了另一个LDA赝势，根本没法计算。

呵呵，不好意思，我没有用过ABINIT。如果程序提供赝势产生器的话，楼主可以自己产生赝势。有时候网络上可以下载的势能文件并不好，应根据具体问题有所取舍。
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
4楼2010-05-19 20:12:05
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meimeinn

银虫 (小有名气)
好的，谢谢你了
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5楼2010-05-19 20:50:40
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mailoliver

金虫 (小有名气)
★
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我算过Si的GW带隙，楼主用的赝势没问题，应该得到约1.1eV。楼主是不是算了gamma，X点之间的带隙啊？
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6楼2010-05-19 21:58:58
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meimeinn

银虫 (小有名气)
不是gamma点的，结果中给出的是fundamental gap,价带顶在0 0 0，导带底在0.5 0.5 0
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7楼2010-05-19 23:29:12
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meimeinn

银虫 (小有名气)
能把你的输入文件发给我一份吗？我想仔细核对下，到底是哪些参数用的不对，我就光改了上面我提到的几个参数，还有那些参数对能隙影响是比较大的？
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8楼2010-05-19 23:31:02
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mailoliver

金虫 (小有名气)
★
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引用回帖:
Originally posted by meimeinn at 2010-05-19 23:29:12:
不是gamma点的，结果中给出的是fundamental gap,价带顶在0 0 0，导带底在0.5 0.5 0

导带底在0.4 0.4 0附近，你搞错了。
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9楼2010-05-20 06:05:03
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meimeinn

银虫 (小有名气)
恩，谢谢啊，对了，这个怎么改？Kptgw怎么生成呀？
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10楼2010-05-20 15:47:41
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