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liuguan

金虫 (著名写手)

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[交流] 【讨论】光催化性能和结晶度有关系吗？已有6人参与

我在书上面看到这样一句话说，掺杂杂质离子会引起半导体晶格的畸变，降低离子结晶度，增加缺陷位置等多方面的作用。从而影响半导体粒子的光催化性能。

请教高手赐教。

而结晶度都是用什么仪器表征的？

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1楼 2010-05-18 20:18:35

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wtwaiting

木虫 (著名写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
nxl5096224(金币+2):谢谢参与 2010-05-24 08:50:05

引用回帖:

Originally posted by liuguan at 2010-05-18 20:18:35:
我在书上面看到这样一句话说，掺杂杂质离子会引起半导体晶格的畸变，降低离子结晶度，增加缺陷位置等多方面的作用。从而影响半导体粒子的光催化性能。

请教高手赐教。

而结晶度都是用什么仪器表征的？

结晶度可以用XRD来表征，假如你是用TiO2的光催化，其中有无定形和锐钛矿型，可以通过无定形和锐钛矿型的峰的强度对比。同理也适合用于金红石和锐钛矿互存情况。另外张青红的一篇论文里面提及用热重方法测定无定形中TiO2的锐钛矿的含量。这几个方法比较适合单一的TiO2结晶度的算法。
如果你是用负载型的，比如我们课题组用的SiO2表面负载TiO2的结晶度就比较难表征，SiO2无定形的干扰很大。想用一些内标，但是又苦于没有相同粒径的纯锐钛矿的TiO2，这方面确实正在努力中。

另外个人觉得如果是单单定性的话，很简单就看离子掺杂之后，TiO2结晶峰是不是变弱了，当然是要在类似的半峰宽的条件下。

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