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Choke

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何设定带分数电荷的H,用于钝化表面的悬挂键 已有4人参与

(a)在做表面H钝化时,文章里提到需要用带分数电荷的H,以防止引入新的表面态(如图中红线所示)。请问这个功能在MS中能够实现吗?我看到properties里面有formalcharge这一项,是不是就在这里面设定所需要的分数电荷?帮助文件里对formal charge的定义是:Formal charge is a theoretical number assigned to an atom on the basis that all bonds in a molecule are purely covalent. This means that each atom in the bonding pair is assigned one electron from the bond.
我对文中的理解,以用2/3H对O进行钝化为例,O在SnO2中有3个键,要保持这种结构,也需要用3个H来钝化,并保持O总共得到2个电子以达到complete shell,这样每个H应贡献2/3个电子。2/3H把所有的电子都贡献给O了,变成了对electronic structure没有影响的质子。请问这样理解是否正确?如果是这样的话那改formal charge就不对了,因为它以pure covalent为基础的。那如何构建这样一个只带2/3个电荷的H原子呢?


文章链接如下
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp911035z

(b) 用H钝化之后,文中把H-O,H-Sn键的键长都固定了,请问在MS做结构优化时能只固定这些bond length吗?
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp911035z
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hgye

金虫 (小有名气)


Choke(金币+5): 2010-05-09 11:27:19
zzy870720z(金币+1):谢谢交流 2010-05-09 13:56:25
MS的CASTEP模块不具备这个功能,没有分数电荷的H赝势文件。
3楼2010-05-08 15:02:48
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)


qli0218(金币+1):谢谢 2010-05-09 11:06:53
Choke(金币+1): 2010-05-09 11:26:59
该文章采用的赝势方法来计算的。在构造H的赝势时,需要选取一个合适的电子组态来构造赝势。该文所提到的4/3H和 2/3H就是的构造H赝势时的电子组态中1s的电子数。
2楼2010-05-08 14:04:21
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dongdong3881

木虫 (正式写手)

Choke(金币+1): 2010-05-09 11:27:26
Choke(金币+1): 2010-05-09 11:38:42
引用回帖:
Originally posted by hgye at 2010-05-08 15:02:48:
MS的CASTEP模块不具备这个功能,没有分数电荷的H赝势文件。

那请问,能否设定掺杂的原子的电荷量,如果能设定的话,如何操作呢
好好自己好好学习
4楼2010-05-08 16:28:37
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hgye

金虫 (小有名气)


qli0218(金币+1):谢谢 2010-05-09 11:06:33
引用回帖:
Originally posted by dongdong3881 at 2010-05-08 16:28:37:

那请问,能否设定掺杂的原子的电荷量,如果能设定的话,如何操作呢

不需要设置掺杂原子的电荷,做带电掺杂只需要设置体系整体的背景电荷就可以了,在参数设置的第一个页面就有。
5楼2010-05-09 09:14:18
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