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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【请教】关于薄膜材料的UV-vis表征疑惑之处的请教
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xiongying_swust

新虫 (正式写手)

[交流] 【请教】关于薄膜材料的UV-vis表征疑惑之处的请教 已有2人参与

各位大侠，请教一个问题：
我在p型单晶硅上做了大约2微米厚的宽带隙半导体材料薄膜（Hall效应测量表明是n型导电，载流子浓度和导电率均较高），想通过UV-vis光谱来测量其带隙结构，藉此来分析可能的施主能级位置（距导带底），最初设想测镜面反射率来推算其吸收光谱，但效果很不理想，整个波长范围内（200-1200nm）反射率仅为14%左右，由于薄膜样品无法自支撑，肯定不能把Si基片去除后直接测其透射光谱的，所以问题主要有：
（1）是不是镜面反射这种测试模式有问题？由于薄膜与Si基底之间的界面结构，测出来的数据不是真实的膜的值（光线首先被薄膜吸收一部分，反射一部分，透过薄膜的光线在薄膜与Si的界面处再发生吸收与反射过程，被发射的光线又要穿过薄膜而到达薄膜与空气的表面处）？
（2）如果采用透射模式测量的话，可否首先测单晶Si片的透射光谱，然后再测样品（薄膜+Si基底）的透射光谱，最后二者直接相减来得到样品的透射光谱呢？
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1楼 2010-05-06 16:02:28
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daliaofashi

金虫 (初入文坛)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖
你这个应该用积分球附件测漫反射吧，然后K-M变换得到F（R），在利用Tauc公式作图得到带隙，tauc公式中的吸收系数换成F（R）。
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3楼2011-06-09 23:21:58
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xiongying_swust

新虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by xiongying_swust at 2010-05-06 16:02:28:
各位大侠，请教一个问题：
我在p型单晶硅上做了大约2微米厚的宽带隙半导体材料薄膜（Hall效应测量表明是n型导电，载流子浓度和导电率均较高），想通过UV-vis光谱来测量其带隙结构，藉此来分析可能的施主能级位置 ...

无人问津，难道是太肤浅了，只有自己顶一下先
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2楼2010-05-06 20:53:04
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