| 查看: 2087 | 回复: 3 | |||
[交流]
【求助】计算能带时ISMEAR要怎么设？ 已有3人参与
|
|
我在relax,scf和计算dos的时候都是用的Bloch corr. tetrahedron方法（ISMEAR = -5）， 但是计算band的时候出现了错误：  后来我改成MP方法(ISMEAR = 1)，就可以算了，但是MP方法对半导体和绝缘体不是太好吧？ 高手们计算band时都是怎么设置的呢？ 谢谢。 |
回复此楼» 猜你喜欢
342求调剂
已经有9人回复
-
材料与化工调剂一志愿大连海事085600，349
已经有7人回复
-
一志愿武理材料工程302调剂环化或化工
已经有16人回复
-
311求调剂一志愿合肥工业大学
已经有12人回复
-
环境工程调剂
已经有3人回复
-
288求调剂 一志愿哈工大 材料与化工
已经有22人回复
-
085600，321分求调剂
已经有9人回复
-
282求调剂
已经有11人回复
-
一志愿 南京航空航天大学 ，080500材料科学与工程学硕
已经有11人回复
-
土木304求调剂
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- 能带结构呈锯齿形，是怎么回事？
已经有17人回复
- VASP中计算dos的相关设置
已经有6人回复
- 静态自洽计算能量时EDIFFG的问题
已经有14人回复
- 【求助】VASP计算体系性能没有f能带电子
已经有24人回复
- 【求助】VASP计算的KPOINTS 设置，求助
已经有10人回复
- 【求助】关于ISMEAR
已经有12人回复
- 【求助成功】计算能带结构时出现错误，请教
已经有19人回复
- 【重点讨论】计算能带时如何确定高对称点和k-points path?
已经有40人回复
- 【求助】ZrO2的能带计算咋这么奇怪？ 附上了INCAR KPOINTS
已经有8人回复
- 【求助成功】supercell中DOS计算如何得到合理的电荷密度和波函数？
已经有3人回复
- 【求助】用vasp4.6计算GaAs的能带结构
已经有18人回复
rfvuhb
兑换贵宾
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 78.3
- 散金: 387
- 红花: 2
- 帖子: 121
- 在线: 21.6小时
- 虫号: 610065
- 注册: 2008-09-23
- 专业: 凝聚态物性I:结构、力学和
2楼2010-04-24 16:16:06
锐利的碎片
主管区长
star watcher
- 1ST强帖: 1
- 应助: 136 (高中生)
- 金币: 3637.1
- 散金: 252
- 红花: 22
- 帖子: 988
- 在线: 1224.9小时
- 虫号: 961933
- 注册: 2010-03-05
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
3楼2010-04-24 21:10:24
4楼2010-04-25 01:33:32
10