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enola

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[交流] 【求助】pwscf作能带图时特殊k点的选择已有4人参与

刚刚学pwscf，我计算硅材料，本来有例子，它是以fcc的结构输入的，但我换成sc的结构输入，然后每个原胞有8个原子，坐标如下：
Si 0.000 0.000 0.000
Si 0.000 0.500 0.500
Si 0.500 0.000 0.500
Si 0.500 0.500 0.000
Si 0.750 0.250 0.750
Si 0.250 0.250 0.250
Si 0.250 0.750 0.750
Si 0.750 0.750 0.750
其到空间还是SC结构，特殊k点是：
G 0.0 0.0 0.0
M 0.5 0.5 0.0
R 0.5 0.5 0.5
X 0.0 0.5 0.0
但是我按照G-M-R-X-G把能带画出来，和用fcc结构画出来的是不一样的，我知道是k点方向选择的关系，所以我想问大侠们，这个sc结构的Si怎么选取k点可以和fc就够的能带一样呢？若我构建的是一个硅的超胞，是以sc为结构的，那又该怎么k点来看能带呢？
总的来说当我构建一个新的结构（超胞，layer），我怎么才能获得我所需要的能带图呢，就是k点怎么选择。
非常感谢

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timeflies..

1楼 2010-04-12 18:21:06

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goldenfisher

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★ ★
xiaohunhun(金币+2):xiexie 2010-04-13 21:42

算能带的时候一般都应该将能带数目选择多一些，可以看INPUT_PW。这是因为你需要计算导带电子的能带，而这部分在基态时是没有电子占据的。
另外，你说的几条能带这个说法很不准确，nbnd并不是画出来的能带的数目，而是电子占据的能带数目。你的超原胞越大，画出来的能带数目越多，这是由于Bloch定理决定的。当你选择的是最小单胞时，画出来的能带数目最少。nbnd决定能带能量范围，也就是电子占据的能量范围。

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9楼2010-04-13 20:59:01

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enola

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我的scf输入文件：
&control
calculation='scf'
restart_mode='from_scratch',
prefix='si'
pseudo_dir = '/mirror/espresso
outdir='/mirror/tmp',
tstress=.true.
tprnfor=.true.
disk_io='high'
/
&system
ibrav= 1, celldm(1)= 10.21, na
ecutwfc =36.0
/
&electrons
conv_thr =  1.0d-8
mixing_beta = 0.7
/

ATOMIC_SPECIES
Si  28.086  Si.vbc.UPF
ATOMIC_POSITIONS {crystal}
Si 0.000 0.000 0.000
Si 0.000 0.500 0.500
Si 0.500 0.000 0.500
Si 0.500 0.500 0.000
Si 0.750 0.250 0.750
Si 0.250 0.250 0.250
Si 0.250 0.750 0.750
Si 0.750 0.750 0.750
K_POINTS
。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
bands输入文件：
&control
calculation='scf'
restart_mode='from_scratch',
prefix='si'
pseudo_dir = '/mirror/espresso-4.0.5/pseudo/',
outdir='/home/enola/tmp/'
/
&system
ibrav= 1, celldm(1)= 10.2, nat= 2, ntyp= 1,
ecutwfc =18.0
/
&electrons
conv_thr =  1.0d-8
mixing_beta = 0.7
/
ATOMIC_SPECIES
Si  28.086  Si.vbc.UPF
ATOMIC_POSITIONS
Si 0.00 0.00 0.00
Si 0.25 0.25 0.25
K_POINTS
下面的k点怎么选才能获得能带呢

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timeflies..

2楼2010-04-12 18:23:27

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