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【求助】pwscf作能带图时特殊k点的选择 已有4人参与
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刚刚学pwscf，我计算硅材料，本来有例子，它是以fcc的结构输入的，但我换成sc的结构输入，然后每个原胞有8个原子，坐标如下： Si 0.000 0.000 0.000 Si 0.000 0.500 0.500 Si 0.500 0.000 0.500 Si 0.500 0.500 0.000 Si 0.750 0.250 0.750 Si 0.250 0.250 0.250 Si 0.250 0.750 0.750 Si 0.750 0.750 0.750 其到空间还是SC结构，特殊k点是： G 0.0 0.0 0.0 M 0.5 0.5 0.0 R 0.5 0.5 0.5 X 0.0 0.5 0.0 但是我按照G-M-R-X-G把能带画出来，和用fcc结构画出来的是不一样的，我知道是k点方向选择的关系，所以我想问大侠们，这个sc结构的Si怎么选取k点可以和fc就够的能带一样呢？若我构建的是一个硅的超胞，是以sc为结构的，那又该怎么k点来看能带呢？ 总的来说当我构建一个新的结构（超胞，layer），我怎么才能获得我所需要的能带图呢，就是k点怎么选择。 非常感谢 |
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4楼2010-04-12 20:45:46
enola
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我的scf输入文件： &control calculation='scf' restart_mode='from_scratch', prefix='si' pseudo_dir = '/mirror/espresso outdir='/mirror/tmp', tstress=.true. tprnfor=.true. disk_io='high' / &system ibrav= 1, celldm(1)= 10.21, na ecutwfc =36.0 / &electrons conv_thr = 1.0d-8 mixing_beta = 0.7 / ATOMIC_SPECIES Si 28.086 Si.vbc.UPF ATOMIC_POSITIONS {crystal} Si 0.000 0.000 0.000 Si 0.000 0.500 0.500 Si 0.500 0.000 0.500 Si 0.500 0.500 0.000 Si 0.750 0.250 0.750 Si 0.250 0.250 0.250 Si 0.250 0.750 0.750 Si 0.750 0.750 0.750 K_POINTS 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 bands输入文件： &control calculation='scf' restart_mode='from_scratch', prefix='si' pseudo_dir = '/mirror/espresso-4.0.5/pseudo/', outdir='/home/enola/tmp/' / &system ibrav= 1, celldm(1)= 10.2, nat= 2, ntyp= 1, ecutwfc =18.0 / &electrons conv_thr = 1.0d-8 mixing_beta = 0.7 / ATOMIC_SPECIES Si 28.086 Si.vbc.UPF ATOMIC_POSITIONS Si 0.00 0.00 0.00 Si 0.25 0.25 0.25 K_POINTS 下面的k点怎么选才能获得能带呢 |
2楼2010-04-12 18:23:27
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3楼2010-04-12 19:46:39
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xiaohunhun(金币+3):很好的实例 2010-04-13 19:30
xiaohunhun(金币+3):很好的实例 2010-04-13 19:30
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你好阿，刚刚按照你的方法计算拉，但当我设定为计算8条能级的时候，似乎计算出来的都是费米能级以下的能级，直到计算32条能带，本征值才从（－5－》12），所以我想问一下，假如我们预定能带是计算8条，那从那个本征值开始到那里结束呢？是由软件自己决定的吗，这8条能带它是怎么分布的呢，等间距的还是其他的。。。。。要是我计算的能带刚刚不是导带底和价带顶，那不是画出来的能带部队拉。 这是我画出来的能带图，k点选择是X－Gamma－M－R－Gamma，倒格子是SC，就是和例子的不一样：   [ Last edited by enola on 2010-4-13 at 09:31 ] |
5楼2010-04-13 09:29:21
enola
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6楼2010-04-13 09:39:11
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8楼2010-04-13 14:12:21
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9楼2010-04-13 20:59:01
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