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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【请教】I-V性质测量
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jiangweijw

铜虫 (小有名气)

[交流] 【请教】I-V性质测量 已有5人参与

请教：制备ZnO 纳米器件，接的是背栅，加栅压时，测量Id-Vd曲线时，Vd为正时，Id为负值，能是什么原因呢？
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1楼 2010-04-08 13:36:42
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lcycomcn

铁杆木虫 (著名写手)

千年虫
不懂 帮顶下！
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宁静以致远
2楼2010-04-08 13:50:52
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subject

新虫 (初入文坛)
有可能ZnO是p沟道的
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3楼2010-04-08 23:43:29
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zeusshang

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
Small(金币+3):谢谢交流 2010-04-27 19:01
jiangweijw(金币+2):thank you 2010-05-26 15:07:44
引用回帖:
Originally posted by jiangweijw at 2010-04-08 13:36:42:
请教：制备ZnO 纳米器件，接的是背栅，加栅压时，测量Id-Vd曲线时，Vd为正时，Id为负值，能是什么原因呢？

栅电压加的是正的还是负的？很有可能是漏电流太大。
测得时候把Id，Is，Ig同时测一下，对比三者就能看出来是什么问题了。
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微纳加工
4楼2010-04-10 16:32:07
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jiangweijw

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by zeusshang at 2010-04-10 16:32:07:



栅电压加的是正的还是负的？很有可能是漏电流太大。
测得时候把Id，Is，Ig同时测一下，对比三者就能看出来是什么问题了。

栅压加的是正的。我测量的时候就是在栅压不同的情况下测得的Id值。
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5楼2010-04-12 11:17:44
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Atma

木虫 (小有名气)
jiangweijw(金币+2):thank you 2010-05-26 15:08:04
引用回帖:
Originally posted by zeusshang at 2010-04-10 16:32:07:



栅电压加的是正的还是负的？很有可能是漏电流太大。
测得时候把Id，Is，Ig同时测一下，对比三者就能看出来是什么问题了。

对，我以前也有这种情况，发现是SiO2层击穿了
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6楼2010-05-20 11:00:02
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